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[問題求助] 有關動態電路layout的一些問題

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1#
發表於 2007-9-5 03:37:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請教各位專精人士,% Q* W" R( Q/ X5 g/ P4 n
小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder(130nm TSMC)(主要
, Y; `/ ]# b: E9 m* o為dynamic circuit),有幾個基本layout的問題想請教,
: s$ j& F3 R+ [% ?7 _7 @/ Y5 q. n: S0 z1 R
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?$ V5 H: A; M0 k
2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的,比如說:在local的電路裡,要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重,local的clock要走哪幾層比較好,等等之類的3 w+ p) c1 Q( \: R: ~
3.在這種架構上,有沒有需要特別注意的地方。
  n1 F( b# s( b! F- }( v/ u
* ~0 \/ {$ ~% e+ k因為是第一次lay動態電路,所以不太清楚要注意什麼,還有請各位大大提供意見。感謝

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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5#
發表於 2007-9-7 10:04:53 | 只看該作者

回復 #4 m851055 的帖子

請問 m851055 1 G$ V, k) V9 n9 J. u9 S- P

. r1 A7 Z' A! O9 v就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎,還是要先拉一小段線再換到M2
4#
發表於 2007-9-5 21:33:18 | 只看該作者
原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表   l$ Z( v3 ~# ]7 N4 R
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
$ Y# l# K* D) v; x
  E6 \4 y2 j( [. |0 ^" s
, U$ G  y  l" z
在etch時侧壁的metal會etch不乾淨,造成的影響如殘留metal掉到其他導線上,造成leakage......................

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piepie1244 + 5 Good answer!

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-5 20:14:58 | 只看該作者
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
2#
發表於 2007-9-5 19:37:34 | 只看該作者
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?
, m* A4 n5 P7 K' b4 F: _
; q* w  ?( N/ J( y- e-->較不好,因為縱深落差較大

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