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[問題求助] 有關動態電路layout的一些問題

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1#
發表於 2007-9-5 03:37:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教各位專精人士,
; n9 v) |- Z2 O7 m) u; b3 J小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder(130nm TSMC)(主要- W. H# \: @- Z
為dynamic circuit),有幾個基本layout的問題想請教,1 c  d7 c# }% ?" k) @! e
* [' ]/ }+ T2 k# E+ @- ]. Z+ E
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?8 {7 E4 F8 M: ~% a- K( M0 _& H
2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的,比如說:在local的電路裡,要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重,local的clock要走哪幾層比較好,等等之類的  G6 ~6 k2 ~- R  ^
3.在這種架構上,有沒有需要特別注意的地方。
2 A" L9 y9 I, m9 k6 Z1 l- Q, S5 ?3 h8 r% M  \0 n
因為是第一次lay動態電路,所以不太清楚要注意什麼,還有請各位大大提供意見。感謝

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-5 19:37:34 | 只看該作者
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?2 O: v. x/ b* {
  i& B9 V3 G5 q% u8 M
-->較不好,因為縱深落差較大

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jianping + 5 + 5 Good answer!

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-5 20:14:58 | 只看該作者
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
4#
發表於 2007-9-5 21:33:18 | 只看該作者
原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表
& p# m2 |/ x+ ]" s1 }2 P請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
, I5 Y6 L( k( }& ^' R

& V2 c: @- ?5 }2 L
: ^! y" t. W$ V& `在etch時侧壁的metal會etch不乾淨,造成的影響如殘留metal掉到其他導線上,造成leakage......................

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5#
發表於 2007-9-7 10:04:53 | 只看該作者

回復 #4 m851055 的帖子

請問 m851055 ! J, h4 \5 l, W2 u
6 `( @9 o) f4 ?9 t5 C  t
就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎,還是要先拉一小段線再換到M2
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