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[問題求助] 有關動態電路layout的一些問題

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1#
發表於 2007-9-5 03:37:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請教各位專精人士,
& O  U! a" z! d- c! Z小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder(130nm TSMC)(主要/ v- z" L* D* o+ F2 t
為dynamic circuit),有幾個基本layout的問題想請教,. }. U$ G1 E0 g

4 Y2 h' O# b" t  P1 Z9 K; Y1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?8 ?0 [8 d& |; |& l% s9 I* E( d* V
2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的,比如說:在local的電路裡,要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重,local的clock要走哪幾層比較好,等等之類的7 [: D+ M0 I, c& Z* z" |$ l, Q9 b
3.在這種架構上,有沒有需要特別注意的地方。  p* b/ [- D2 b# T6 f1 S. X/ {, ]1 V. h6 j

6 p! Z" u( W  P/ }1 P1 h因為是第一次lay動態電路,所以不太清楚要注意什麼,還有請各位大大提供意見。感謝

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-5 19:37:34 | 只看該作者
1.因為是數位電路,想請問一下,直接在MOS的diffusion上(已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2,再由此metal 2把訊號(Drain or Source)送出去,這樣的layout方式好嗎?
. F. |4 J6 L- e- _" O& N& j4 P0 c: U; k$ w
-->較不好,因為縱深落差較大

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-5 20:14:58 | 只看該作者
請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復
4#
發表於 2007-9-5 21:33:18 | 只看該作者
原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表
: Z  R3 z* W& W# B. v請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢?? 謝謝您的回復

3 e4 Y7 r4 ~: I* g5 F' Z! e; X- x( [5 v( d: g

, r" _4 v. H8 n在etch時侧壁的metal會etch不乾淨,造成的影響如殘留metal掉到其他導線上,造成leakage......................

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5#
發表於 2007-9-7 10:04:53 | 只看該作者

回復 #4 m851055 的帖子

請問 m851055 : w0 O4 N* N" z4 I
9 K5 ?* P4 f1 o% Y6 v+ L, d2 n" e
就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎,還是要先拉一小段線再換到M2
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