關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
7 g% h6 z) N* O之前我有下一顆BGR
% G' @$ [9 M$ z' C; [所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
8 ~; I# O, a3 O( m  V/ D# c
! }4 r, u, p& ?! U所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
1 Y0 N! e" E: @2 H+ {) \這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

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; Y7 C: `1 E6 QBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
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[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]