關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
! c% J) z+ B) h% N9 Y  V, R之前我有下一顆BGR
  ?9 ?( Q+ P  L) Z. S. c; h所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
# K9 H& ~$ T) Q" A$ U- \
+ ]; p$ O. ]1 a所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
+ U, v- \5 f' S6 Zbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
1 ^& @6 L: y; A# }5 s( z2 {Bandgap 如何做到好的line regulation?
/ f4 j" b9 f# g4 ^4 U' L& Q( n8 Y請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
) q& [, y& w  V! _4 r- ]應該是接成MOS diode的型態
+ {3 [7 D+ ?) k# L, C6 k3 J" I! `3 g% J
re:relax918
2 s7 y- B8 \8 U9 d可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
" j" {6 Z0 D- I/ G這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
5 a# t& ^+ i3 J  N公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

8 s6 p5 D2 v; x2 B4 i9 Q# G而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
6 f7 l( v5 F5 V2 D0 [, z" P0 J) m0 I4 C利用P-N junction的特性而已
9 N* ?/ v2 r+ p8 K. }, q' H
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
/ @! i$ W1 {, ]/ k" q) \) \7 v應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
; H% n6 T/ q0 R2 w; D
但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
8 d' N# R# c9 P/ U0 s( w) ]它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
" |: K' u+ \4 k, A3 gNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

2 k, e/ |1 Z& s9 A感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
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