關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
- Q& m, M' t- `3 e  y4 _' ]5 G可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
1 g3 F- g/ F# Y  {6 y6 x( \4 ]BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
+ p$ N8 p$ X7 H/ B因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
% A" p' _( g5 D1 Z; T6 U
$ _1 D2 E1 Z# m, p9 _3 g所以想請問一下大大~  
& Z1 U! ?  H) e6 }N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
* {: U! a' k5 ]3 H' r這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

  M* ~9 J. W" W. ~* ~4 ?以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
* P0 o$ s1 f& w& K( W, u: S' [bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
0 v1 T+ Y5 @: V# N- a如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
- x: c9 x; V- hbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
9 X9 g0 c: |9 I9 Q0 y

& U5 j5 m9 h$ [  e0 e+ O
2 j9 h" y, s; Y8 {& G6 |[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

& x! v* m; Z" u& X( y; w" b$ r感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
: u  @; g* M0 q7 x# C) ]這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
3 l" v2 w% q0 P公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
/ p. y4 H4 P. M: l  L# u
' {& v9 Y9 E- f/ p! z而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已

/ j4 H- S) G" K0 _9 t, A. R- Q2 O所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
. h' ~7 b# b: N  P1 t1 p
但是何者較穩定就不保證了
! x3 \* V* [7 x& b% U4 P7 ^6 {
因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態
0 e& M' n0 c" r8 A* T# v
re:relax918
0 @- ~$ K& N( x+ o9 G' A可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
& X: }7 H& d# s% x; H( N6 Y應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
8 r3 [4 Y7 r9 a* }假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
. O( w+ F6 J0 f但是我不是很確定喔