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想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
+ l0 M0 Y( k8 Z. }* E之前我有下一顆BGR + }. E% E# a, B* ?# } V/ Q `
所以目前知道的 大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
/ a# s& h* w7 }3 W+ Y, ^( [可是現在我在做的是paper上的BGR 他是使用CMOS代替BJT
4 }" r: N4 p) c- I& jBJT是利用Area的不同(通常是1:8)~ 他CMOS是利用W/L來形成倍數
6 q! t: W( P4 }, H+ k因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= =" 有看沒有懂, {) B; D5 h4 v6 k: w
! D' ]6 l7 L" @1 K
所以想請問一下大大~
5 ]: T# B& ~8 m) o. F) M" W# HN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)/ C0 t! y& `& |% W a
這樣的架構~ 這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?. b p7 z, K2 a1 s) F
( V3 f1 z: C/ d+ ]- \9 ?7 g以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
" D& \; P& z3 A0 ]8 f% obandgap voltage reference?
# t& W) R# g/ Sbandgap voltage reference? 9 N" _0 t/ i ^/ f5 ]6 c
如何在CMOS process 中做好溫度感應器? * b: H# p0 S9 X% Z
Bandgap 如何做到好的line regulation?
5 L5 A7 ` r9 O; [: O5 ?請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
( u% y& ~- @6 M+ t1 J% q, s- `; Gbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
O- F+ @- D/ Q# ?/ i8 UBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作 ; I7 j& {3 v2 r+ P3 h6 h
, `- y0 k' F: a
# m& m4 R0 J9 k4 G+ ], J2 b m2 x
: n! W2 W* A- W/ v3 ^9 a+ N[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ] |
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狗仔卡
發表於 2007-9-3 16:09:34
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N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。