關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
; |" l3 l8 K' n* d因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

5 F6 c6 |& f# g0 i所以想請問一下大大~  
" p1 J/ A9 k2 B# I; b9 LN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

5 y( C9 \" I3 }2 \以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
! b& |! [9 [* V3 h. ^2 H, T* Ybandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

) S: Q( ~* ^! g) l

[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
) k+ D2 o8 Z9 g/ X$ w. {1 a' h5 k假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
8 a$ r6 a6 w/ h8 Y但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態
  E( I3 g% u  D% W( g
/ c" z7 z) L9 b$ M% O  |* I: Cre:relax918
: _' j0 f5 L# l* B9 T可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
( Y  a% }2 ?' |6 i3 n' A# Q( y' q這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
* ?. z& k. V9 [( d7 r& H* ~1 V0 ^  I這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
! B: J) i* Y. I$ }; [公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

, V7 {/ d4 ~( e, A" r3 `而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已
" F9 {& _5 S) e, r/ u2 d
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
; X: h$ H7 L8 W, I! h. [4 a應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

但是何者較穩定就不保證了
; c) X1 @# x# ~% k
因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
1 o) O" y  Z* W8 p' e( U; X它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
, M% ]; v0 ]3 G  g$ G應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
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