一些Layout的問題

Oo海闊天空oO

請問各位業界或是Layout達人們...

有幾個LAYOUT的問題...一直在我心中是一個問號...
' S+ x8 t' a# w' q) `! W7 ^
4 z7 R7 j% }, o. P& k/ @( r; U1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)
   會有什麼影響??

因為在平常我們畫的時候..都會覺得這樣不好...一定會盡量避免..
+ z9 h# D$ T3 _1 W/ v8 }- [但是在詢問過業界的幾位資深LAYOUT工程師...
( K8 ?$ \9 J5 u) I/ D# X他們都很大方的跨過去...
! C; y- Q- a: Y# v) E4 }3 [( n, `4 N所以到底...跨過去真的會有很大的影響嗎??

2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...
! t5 M# P# z* b, `. o   假設兩層都畫...那是否有誰在內圈誰在外圈的順序??
/ H1 U: d* N4 }: p, r! v; g   或是順序都沒差??
. _! ^: B4 R$ z# I  g   另外就是..真的有必要化到兩層嗎??
/ Z( h2 P- e( J1 E* |/ S
3.在畫並連的BJT時,很多嚴討會的講義都會教說..畫成九宮格..或是正方形畫法.
+ y( |( X3 n9 |! Z5 b+ y3 Z   特別是在設計bandgap時,將BJT設計成8:1,layout時畫成九宮格..
' z$ t% y( D" Q. s: j# K% B   但是最近聽某個公司的主管說..這種話法並不是最好的..
   那請問哪種畫法比較好??

Oo海闊天空oO

原帖由 m851055 於 2007-9-3 08:09 PM 發表
; W6 e5 l0 Z0 e1.在LAYOUT時..直接用Metal2跨越一顆MOS上的每一層..(包含Poly, diff)
  N+ o8 G: ?" N' m2 p1 \( ^. L- u   會有什麼影響??
1 {- [9 H' W7 i. s+ Y
3 Z/ M& |4 n* D+ ]% a6 \4 n; R-->在RF及analog時才須特別注意，一般CMOS差異極小。

2.在畫GUARD RING時,有P跟N的畫法...
: [' M1 ]$ q4 g# V; C! F   
9 h4 b: e8 Y$ ~  y8 u. g-->PMOS N-rin ...

這位大大可能有些誤會...
BJT的畫法當然是正方形的沒錯..
我們說的是...9顆BJT的擺法...
把九個正方形排成九宮格形式..
) D3 D1 A. f; [( i或是其他形式...哪種會比較好..

Oo海闊天空oO

原帖由 blueskyinair 於 2007-9-5 02:27 PM 發表


0 M0 j' A8 m# c$ l根據教課書的推導
Vref=A1*Vbe+A2*VT*lnN
( U  d4 v0 Y% Q8 S7 PdVbe/dT=-1.5mV/K
' I9 d! O0 s( g5 C$ O+ q2 CdVT/dT=0.087mV/K
假設Vref與T無關,且A1=1
推得A2*lnN=17.2
4 P! R+ o$ y7 Y9 t+ B1 A9 {: s: X其中並沒有說9顆BJT為最佳,甚至教課書中以31顆做為範例
請問f大是在哪裡看到" ...

* B# e( F" o- K0 B+ l
其實我絕得並沒有限定說..BJT的數量一定要是8:1...
! o. A  f' Y4 M; z- i但是以我自己的想法來看...
畫成九宮格形式的原因..
我想大概是溫度變化會較一致....
& g* n0 {9 B  i6 ]因為bandgap最重要的就是溫度變化的問題...
; ]' q, q9 E7 T* Q5 {1 `用九顆...我想是最能達到matching的效果...
這是我個人的想法...
: K. V+ W6 s7 _$ U* t
但是不知道副版說的理論基礎是如何