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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表 ; G2 d$ e5 E; K+ A8 [! u
至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
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: Y0 M0 S. |: v2 L. A$ P再回答一下問題4 @' ]) H3 t4 t) q/ _4 ^7 S; W
在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了4 c5 u8 \; G( g3 H/ A+ h. c
再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
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+ ]4 r" j) ]' k$ j1 ^0 j* c5 W9 o9 ?最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的4 z k2 l) z# G @/ n
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關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過
3 m; V2 C; B- y2 f" k3 _比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重3 R( J6 K) V8 L7 a
在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100; M) Q0 K( M, q6 F( _
在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64; j( J0 q1 s* x4 x
2 F: l( H4 R! X% M- S! j, w' N4 O3 U' h關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size' [. z" ^) i: n9 C9 p: o
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何; v9 d7 ]% W; ?( Z( K
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至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應
! u6 f2 w% W2 j$ _$ w, k因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的, \* K' z: ~- i3 U$ V
' P$ D& k9 b! J至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設4 r N( E" Q \' g) x% P6 z
只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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