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這個問題在 LED driver 會常常遇到6 l/ ]) i2 s, x- S' N; ~* G
" C! B& B+ f; W! P首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制5 D/ {( Y5 b. b, q4 Y
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知, f/ d T3 w/ \
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]" w+ H& \+ ]& n
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制) G z7 o! A$ q
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
/ h7 h/ s b' T9 P, k/ r) Z( `' ]$ q4 d並減短設定時間
: j4 Q2 s6 m# T& p, G8 T% @# e
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error4 ?$ E) H' L* T! P3 m/ ?8 `( f8 V
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
: h5 P: D& v" D
$ P1 O* ~' T0 {% \至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,$ c0 i/ k: a) Q0 z
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)' i" l% u$ r& C' Y9 N- f( c
4 z/ S. M5 v. O1 \/ B溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)- \9 T6 ]$ D+ t
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
, C- J" v6 u X' M' R然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定, @1 A3 ?# T% j; f& L4 L
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
/ l5 c; q7 Y6 }) L0 g$ cPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
' j- V# G# ^7 u9 }% D9 U( n選用的 theta(j-a) 必須確保在3 c( j* ?% J; Y& b# v0 u0 ^2 F
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
9 Q* l$ i8 _1 ~: Q: k7 y選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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