Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 14451|回復: 8
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,$ k% U4 ?, q% Q1 h" S
且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?
2 A, t4 Z4 `+ a; l' [因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
: T- `7 c9 v5 U7 O& D該如何避免?
+ ]8 O# I- @5 N+ I又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?+ h( m5 H5 H; _6 {: Z
該如何克服?

評分

參與人數 1Chipcoin +5 收起 理由
monkeybad + 5 值得探討的好問題!

查看全部評分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂23 踩 分享分享
2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
4 u7 U" k+ R1 D' B6 g, ^& Z: b( ], K$ B4 N$ {
不過之後的layout才是重點核心的部分
# |5 m8 x0 x& R- w" b3 T# `8 d3 z8 y1 P, ~5 {! _+ H8 X

評分

參與人數 1Chipcoin +2 收起 理由
monkeybad + 2 感謝經驗分享!

查看全部評分

回復

使用道具 舉報

3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
' a2 x) b5 A# }' {   各channel再做1:20(1:50,2:100)
8 U7 K7 U4 R/ L; j4 }9 {: n- a2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定+ H9 }* m8 A* [& r, j' y/ h  e4 p  ?
   calibration cycle
9 X- j0 C8 L" x8 v4 Q# u3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
( G. \( ^: }6 r: b1 o4 H7 K) i4.元件的L,W 也要選安全一點的range

點評

Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

評分

參與人數 2Chipcoin +3 +5 收起 理由
monkeybad + 3 Good answer!
mt7344 + 5 Good answer!

查看全部評分

回復

使用道具 舉報

4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!
; |$ r0 _% \( a2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!8 c% V2 ]. `. C$ b3 c
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
2 l: M8 l9 L/ Z  J) @5 d4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
回復

使用道具 舉報

5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match
. w3 {- d" ?, o; l, {, y0 \再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定1 r. c% W. T) b  U2 @9 u4 O
9 y9 S, k; f  ]1 b8 S0 P" C
提供一點個人意見
回復

使用道具 舉報

6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到6 l/ ]) i2 s, x- S' N; ~* G

" C! B& B+ f; W! P首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制5 D/ {( Y5 b. b, q4 Y
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知, f/ d  T3 w/ \
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]" w+ H& \+ ]& n
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制) G  z7 o! A$ q
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
/ h7 h/ s  b' T9 P, k/ r) Z( `' ]$ q4 d並減短設定時間
: j4 Q2 s6 m# T& p, G8 T% @# e
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error4 ?$ E) H' L* T! P3 m/ ?8 `( f8 V
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
: h5 P: D& v" D
$ P1 O* ~' T0 {% \至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,$ c0 i/ k: a) Q0 z
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)' i" l% u$ r& C' Y9 N- f( c

4 z/ S. M5 v. O1 \/ B溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)- \9 T6 ]$ D+ t
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
, C- J" v6 u  X' M' R然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,  @1 A3 ?# T% j; f& L4 L
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
/ l5 c; q7 Y6 }) L0 g$ cPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
' j- V# G# ^7 u9 }% D9 U( n選用的 theta(j-a) 必須確保在3 c( j* ?% J; Y& b# v0 u0 ^2 F
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
9 Q* l$ i8 _1 ~: Q: k7 y選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

評分

參與人數 1 +5 收起 理由
mt7344 + 5 Good answer!

查看全部評分

回復

使用道具 舉報

7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑
5 N5 \8 {& ^; s
: q0 b1 l2 e) D9 W1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減# |  X1 W7 {7 B" p
2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大$ S  B4 W; A8 d; _5 v6 \
3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
回復

使用道具 舉報

8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
回復

使用道具 舉報

您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-4-29 08:43 AM , Processed in 0.114006 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表