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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,3 P; c5 u/ b) [) g! f
且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?6 S! v8 y, Z. E* N7 R! X! z
因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
1 b* M- ^2 Y. C" {該如何避免?+ B( w  j+ a: @4 t
又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?
! V8 }2 r  @9 X  f: {% L' q. s" D$ s該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
/ `$ f# ]% B* c  U! h' T: o1 W
4 x3 X- o& G; K$ M* ~3 D7 J不過之後的layout才是重點核心的部分8 p; D3 F5 m. W9 m
8 m/ ?% U1 d7 l

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
# x+ z7 J/ M: H, m: n. n7 s   各channel再做1:20(1:50,2:100)
9 ~2 I, `" V7 ^, u! d2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定. [4 G( k% h  n8 d6 }3 ~; B+ {
   calibration cycle % }* x% a8 L; E" m  ]1 ?
3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!9 x1 q5 ]; P( t5 w2 A
4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
mt7344 + 5 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!8 @# I- D( L1 T5 |; W  S
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!9 D6 i) e8 j$ F/ `5 m( }* h
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
; n* J- t9 X1 L: W7 G; L: x4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match3 v1 n; j9 @0 c. q+ V  ^; E; W6 s
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定
) R8 w! L3 ^9 K3 _* o* e6 _# A" s% p5 |6 b0 d+ m2 `+ H
提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
' \1 {& {" T+ @8 E
2 i& C5 E0 w, `. _% i% X! h4 L$ O/ W首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制% }5 H5 B+ F5 j( {7 f
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
% J7 I* {% Y$ R9 G, M' c+ O主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
1 z4 |0 y4 B3 d# Z9 j鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
& P: k, h5 _% e! D( P另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力. f- q2 x$ }* i3 z  K. g" S
並減短設定時間8 L$ X: I7 N/ ?+ P3 i$ n& U
  Z5 l1 B& a+ V- s
channel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
- p. c4 a3 O7 d這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題! s2 R/ m1 q, d. R. Y

# Z9 D. L7 q! @* z0 X至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
* t. m' P! k! S- w2 |此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
! y9 E/ F/ F5 @7 T7 L! C% ?7 U/ {! V- V& n: D: P: T
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)* p5 D( p6 H2 @+ g- |
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小4 ?$ Z( Z/ t& ]+ j! _6 ~# e; H
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
( s# A) ^6 R5 z) y7 l. ^* d在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
2 {/ I' E# Z, b. q+ U. FPtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a); z; T; k( |/ s5 @( F7 P+ d
選用的 theta(j-a) 必須確保在, }; N2 O! ?$ W, M) P4 A
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree$ S3 ]+ p1 n# a  |3 z
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑" E' H& g) z- s! ^) X5 g4 V

1 n% e8 ^, k9 p! T" P5 }6 M% a1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
3 K& O2 }8 h2 V4 U1 S! Z2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大
+ f$ h, w& P2 ?1 G/ x* J3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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