業界首款頻率達183MHz的行動隨機存取記憶體

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奇夢達推出DDR366行動隨機存取記憶體  

(2006年8月29日，台北訊)  –世界領先創新的記憶體公司奇夢達今天宣布，推出全球首款183MHz雙倍資料同步傳輸(DDR synchronous)的行動隨機存取記憶體(Mobile-RAM )DDR366。該記憶體提供1.8V電壓、60-ball FBGA(細密球型矩陣列封裝)，以及512Mbit的容量，並且符合電子工程設計發展聯合學會雙倍資料傳輸率(JEDEC DDR) 的標準。奇夢達公司是首家推出183MHz 行動隨機存取記憶體的廠商，預計該產品將協助系統廠商針對日益增加的高頻寬、低耗電需求，推出功能更豐富的行動手持裝置。  
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奇夢達公司管理董事委員會委員暨行銷長賽佛(Thomas Seifert)表示：「可攜式裝置越來越受歡迎 ─ 從多媒體手機、到MP3 音頻/視訊播放器、乃至於數位像機 ─ 驅動著對於高功效與低耗電記憶體解決方案的需要。由於這些行動電子產品的功能越來越多，所以相關的晶片一定要能夠支援高功效的特性，同時不會影響到整體的電源表現。藉由推出首款183MHz與 1.8V 的行動隨機存取記憶體，奇夢達更加鞏固該公司在高速與低耗電的可攜式裝置解決方案的領導地位。」
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: m( D2 j& c1 z+ k4 c+ A該款高速行動隨機存取記憶體所提供的366Mbit/s資料傳輸率，較標準的DDR266 DRAM提升 30%。藉由球型網陣列封裝(BGA package)技術，該記憶體在無須改變系統設計的情況下，還能帶來強化的效能。身為行動隨機存取記憶體的市場領導廠商，奇夢達與該公司的主要客戶以及處理器領導廠商密切合作，確保能與他們在2007年所推出的系統完全相容。

; }, ]/ g9 U1 X2 }- {行動隨機存取記憶體針對擁有空間限制的應用，結合超低耗電的電池驅動系統與極緊致的晶片級封裝(chip-scale package)。奇夢達善用該公司省電的溝槽式技術(trench technology)，結合了電源管理的特性，例如溫度補償式重新充電(TCSR)、局部陣列重新充電(PASR)、晶片溫度感應器(OTCS)、與深度休眠 (DPD)模式，提供行動隨機存取記憶體最低操作電流與延長的電池續航力。
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  C, p- j- Z% Q7 b奇夢達所提供的SDR與DDR 行動隨機存取記憶體，其容量達512Mbit、供電電壓(supply voltage)為2.5V與1.8V、而且速度達183MHz。容量為512Mbit 的183MHz DDR366行動隨機存取記憶體的工程樣品現在以60-ball FBGA 封裝與1.8V 電源供貨。