Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 14469|回復: 10
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] bandgap無法將壓差降低

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2009-1-12 03:12:33 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
近日在調bandgap
: T8 c/ e$ c) |  n/ r# N可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高$ R" H2 P0 y/ Z. E; M
.35製程
6 E. h; Z. X; H' R" T4 Fop db65
& P. x# l  \0 ]$ z% q4 r5 C# ^4 r不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
" ]2 [1 Q% [* H  T不知是OP還是帶差出了問題??, z0 I! b% u, U: y+ ?5 u
請各位大大幫忙
) H4 H& }2 {. c
  ~5 w6 C% H2 w; I1 H. X3 H5 U9 E: r- d3 _+ f4 S8 S
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
5 F# U. d3 m$ @# m; J) ~! lbandgap voltage reference? / ^# `+ l% s' h* g- H$ X
bandgap voltage reference? 9 {4 `9 r0 P% j+ ~5 O# \& g  s& C" P
關於CMOS的正負Tc ( Q2 y9 _- l2 D$ h) M) r
如何在CMOS process 中做好溫度感應器? , Y. H1 D7 Q* K/ j
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....$ v! T8 K- e9 q. B) N
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
  z% K' q- z. dBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作 " [1 W. o6 C# ^! {6 r, j
* Y' x2 m3 |& p/ c3 I

, y  M3 P5 S. Q5 m7 O3 W9 b' ^% A
5 z( R5 N3 V! w+ a0 d4 T6 l[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂445 踩 分享分享
2#
 樓主| 發表於 2009-1-13 15:59:55 | 顯示全部樓層

回復 2# 的帖子

回復gimayon大大$ J* \2 j+ i" ?: H; v, H: v
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)9 p4 J# W. H4 T) V; d# _& o
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?2 ~( u  G6 Z% G3 ?
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
' L6 _# E7 @  k我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你
3#
 樓主| 發表於 2009-1-14 15:15:37 | 顯示全部樓層
TWO STAGE OP:8 p- v  L+ {" ?/ [  y

! _( F7 x" r! O' L; x! |帶差:$ V" A( l- }7 J3 b% h! s

) r$ I- |7 f( Q" `9 W& w: F: f+ Y大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
1 x/ o* _& M( i; y5 X8 e; v+ O; p確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
, `' s7 Y0 f: ~% F0 y! ~8 _
5 v) F4 i9 o0 I但是我的OP增益卻下降到很低
4 n: V9 H" q- v" K, E  H. f0 j壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠/ O/ ?7 I. ?" A
請問大大:- n. p" w( N6 R' h
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?# c2 `1 E) g8 x: F; u
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
: _8 `# h3 {% V" ~8 s/ p, Z3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
% D0 S5 z/ n2 E, Y" r現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
. `* F+ [& J9 u. `) i' o( y! X
0 f, e) g* c7 K6 j( n" |3 N[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
4#
 樓主| 發表於 2009-1-15 16:36:27 | 顯示全部樓層
回gimayon大大
1 q3 T# s: p! R8 g' l下圖左半部是 start-up
- W) \% G3 H9 l. o0 i% w4 Q正常工作時可以使我的MS3在截止
+ U( |6 T5 K6 k: u' K0 T  L0 x請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??! i/ S. q/ n: _% }6 M
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
* I% s! l- ?; L/ |% @" d主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?$ B# o: E) y" f$ n4 V' [  i. Y
因為不少人也是用這種電路當bias的" j: |$ T" A) \# w. ?/ z3 A% B
/ T% }- i2 V5 J/ @# `6 N: k1 E
回finster大大
; N7 o: r2 q' U; @  `( a) P- @2 r我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V5 r9 q, S8 W' b/ \) z9 J5 ~0 X1 ~
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)6 |) p; w4 n2 g' Z0 ?' n$ o

% a4 {) V8 T0 e% Z我的bjt顆數比為8:1! }& m! q+ [9 D  Z; {" `! ]/ c
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了( i5 ]! w) r1 x4 {
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u+ x0 M% Q8 f% T. B/ r2 l2 V9 q( d
7 {$ B/ i" [0 v& x6 [* O- W$ L
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
5#
 樓主| 發表於 2009-1-16 19:16:14 | 顯示全部樓層
謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
8 d+ P' r  r. C, w最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡% k7 j$ B2 q8 }% ?" B0 V
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-3 11:53 PM , Processed in 0.103005 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表