Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 2833|回復: 3
打印 上一主題 下一主題

ESD的另一种情况:CDE(Cable Discharge Event)

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-11-6 20:39:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
ESD的另一种情况:CDE
- Y$ a+ Q$ [& {% CCDE--Cable Discharge Event. o4 ^! y' w$ R: x+ J. n/ N8 ~. o$ x
0 [/ x3 @2 ?" _! a7 t( H5 ^
Investigation on Robustness of CMOS Devices Against Cable Discharge Event (CDE) Under Different Layout Parameters in a Deep-Submicrometer CMOS Technology/ W% r0 F% _% ?$ x; x9 [- L9 g

; h- `  a& N# J2 P) `, N
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏1 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
 樓主| 發表於 2008-11-6 20:40:28 | 只看該作者
Abstract—Cable discharge events (CDEs) have been found, U' U0 T- [  P3 O! h
to be the major root cause of inducing hardware damage on$ R! o/ Z! u5 G
Ethernet ICs of communication interfaces in real applications. Still,2 v% o, j* u# ^3 X
there is no device-level evaluation method to investigate the ro4 c' H3 Z! L5 _5 a+ G( V& z" `( Y
bustness of complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS)' ]2 Q2 Q0 y7 o: E
devices against a CDE for a layout optimization in silicon chips.
3#
 樓主| 發表於 2008-11-6 20:41:17 | 只看該作者
谢谢支持!
4#
發表於 2008-12-3 16:49:22 | 只看該作者
好冬冬,楼主辛苦了
, ?  {* t1 ?1 M  `5 m" h2 u希望楼主多多提供
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-4-29 01:44 PM , Processed in 0.105006 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表