請問在Layout如何數位與類比

likewind

請問一下各位大大...
小弟想要學Layout
現在先從數位的畫法先學起，慢慢在學類比的畫法...

+ u! n5 `4 _/ C/ ]/ }問題:
% C% {; G& l1 G& G) q! `4 R1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
! {0 x) \8 Q  P2.數位與類比畫法的差異?
" T" y0 g4 X% e3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
1 y* L6 j- m8 c5 E# P4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
# V. c% I6 a0 J2 V; G' j4 q" n拜託各位大大嚕...謝謝你們

小緯仔

電阻電容的layout方法
3 m3 b" r1 {* h/ Z% q
在論壇應該可以找的到
http://www.chip123.com/phpBB/vie ... ighlight=%B9q%AA%FD
, j. d3 E1 W! u5 r4 L
2 R: d7 ?; p' {: m: K  R6 s我覺得要學好layout 對於製程要也一些觀念
7 ^/ j4 g. n5 N0 \
這樣子才知道自己在lay什麼

在製程上會有什麼影響，可以嘗試把一些簡單的layout
1 m" B7 i7 `3 i- g6 m& M; R
隨便劃一段，將他的橫截面畫出來

likewind

嗯嗯~我認同這位大大ㄉ說法
製成觀念也是很重要滴...
8 E0 s; y( B! }3 y, i課本上的截面圖...
經過學校上課...小弟有點概念了~
謝謝你~

小緯仔

別那麼客氣啦！
! R$ g9 u8 \  O' T  ~" N
. ?  O8 ~  T# |5 K9 i/ `我現在也是學生
  ]3 R2 C& `3 f
, O! i! O8 I6 F, l6 t或許只是比你早一些時間學到而已

有問題都可以在一起討論

sw5722

1 比較模糊的說法,類比的mos尺寸比數位大,比較準確的說法
   要問rd.
2 數位比較自由,mos要折就折要跨就跨,除非rd特別交待,不然
' e3 \2 h9 Q8 P  w* w4 S' N   就是越小越密越好,類比的話,比較龜毛,接線一定要metal,跨線
9 T" A) D- W! n: O- R& `2 U   也要講究,其實就是designer依據電路去主導layout
/ l, W# F( Z7 |. H, t3 每種製程都會給你一些參數,去計算,通常是多少面積有多少值
4 ]9 \+ n0 t6 {# H3 K   我知道電阻有一個公式是這樣,R=(參數)＊L/W(是從R=q*L/A延
　伸ｑ是介質係數)．
４多看多問多畫,其實也沒啥難.

linger809

1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)   2.數位與類比畫法的差異?
0 v- @% b- c) H! J6 F5 j數位和類比只是概念上的叫法.所謂數字就是只運算出結果0,1的電路再加上時序,構成控制和運算電路.而類比的輸出結果是和time,input-swing,phase,有直接的關係,輸出是綫性變化的.類比中也有數位的divider,pll中的pfd等都是數位的.只是在layout時我們對數位的比較不關心,可以放在一堆就好了,而類比的我們要把foudry生産的誤差考慮進去,比如說橫向縱向的梯度要考慮,要將誤差减小到最小就要匹配好divice,比如difference input的對管一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好

3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
一般layout時,virtuoso可以直接用xl把device從pdk中調進來,如果你用laker的也是可以根據你電路的標值從pdk中掉進來.至于計算方式foundry針對每個工藝都有它的計算方式,電阻一般是r=rs*l/w (rs是方塊電阻),有時把端頭電阻也計算進去(如rhpoly沒有rpo的部分(tsmc叫rpo,smic叫sab),lvs文件也有寫怎麽計算.有時也把工藝的偏差都計算了,不過這個不用你關心,foundry已經幫妳考慮了.
( S+ o+ w4 g, e: U6 U. v, n4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
多動手layout,多看design rule,多layout大模塊ll,ad/da,以及拼接總圖,esd環路layout,tapeout后查看問題等
+ s2 V' D+ }  ^. f* b8 `% h- @" s
  z7 q0 A) u; T# x% R希望對你有點幫助

CM168899

上面的大大說的很好
我覺得多做自然會有經驗累積
# m; T4 `- l# d0 }2 N) C  M; b會越來越有sense

ker

一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好
# C% |5 P- i( c' j3 p, j
第一個問題
9 W! w" }6 j5 t9 Z3 R+ f4 U想請問一下上述的原因
: q) u/ _! v; E# R1 T& b6 n第二問題
因為剛學LAYOUT  幾乎都會加上dummy  是所有情況都加上dummy比較好，還是以abba排列不加dummy會比加還好
+ g; m. s' X( t& h# s7 c
請指教  謝謝

Avril

abba排列不加dummy會比加還好
! W( o: @$ {4 v& P
) A' g  [9 e$ |0 u& N* }4 A# w這句話應該有待商榷吧
- \7 m: L; |% T- f2 g- x6 c4 W如果挑剔一點, ab device尚未maching
若dabbad, 會比較好點吧,

每家公司都不同, 討論討論囉

angala

通常類比電路會加上guarding,數位電路就不會考慮了^^

pkjordan

數位應該就是是傳送簡單的0 1 訊號
在layout大概只要線跑的過就ok
除非一些叫髒的clock訊號要特別注意
& a7 `+ E/ L, ], v- R+ a3 j
類比訊號就會比較雜亂 (高頻 電流量 等等)
$ ^/ _7 x3 S; G8 c+ R所以在layout上要特別注意到跑線問題 couple 干擾 是否要加shielding等等問題 比較需要經驗累積

clarkhuang

問題:
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
應該是以電路圖為依據......我猜的(類比會有清楚的被動元件)
2.數位與類比畫法的差異?
如上面有大大提過   加NRG或是PRG 這些都是類比 必要的
4 W7 _  b! T8 o3 J數位求面積最小化
類比講究對稱 匹配  電氣特性 為考量
如有不對請指正

ecalfs

類比layout考量較多元, 需累積很多經驗
1 E( M# W' a0 ~* d: y必須要更了解電路特性, 一般需要求designer提供layout gideline
否則容易有問題

BOGY

在晶片佈局(Layout)考量方面，類比(analog)部分與數位(digital)部分所考慮的方向不同，所以對於在佈局時，方法也有所不同；數位電路最主要考慮的是面積的考量，故通常都先製作單位元件，將VDD與GND的高度固定，每個單位元件都以此高度來佈局，不用考慮noise及match之問題，其最大原因為數位電路的noise margin約為 ，所以雜訊免疫能力很高，而元件之間的對稱問題，也不用考慮，

但在類比電路佈局中，對於對稱MOS必須盡可能的match，使MOS可以同時受到雜訊的影響，讓雜訊變為共模訊號，則在OPA不會被放大，進而不影響訊號的正確性，如Amplifier中的input端。一般的方法是使用common centroid來達到目的，在MOS兩旁加dummy可以防止周邊元件對其他MOS的誤差所產生的影響。而在MOS的周圍加上一圈guard ring，可以盡量減少雜訊對於MOS的影響，以達到保護電路的效果。

& r# l3 [4 x8 I% ], W3 ^在Layout電路的元件擺放位置，需要讓MOS與MOS之間的間距為minimize，且MOS之間的連線路徑盡可能成為最短路徑，使得線路上的寄生電容與寄生電阻盡量減小，則產生的效應對電路的影響可降至最低。
* N6 f8 t& }$ U- A' ^Power lines的考量可以從多方面切入。例如在VDD與GND的連線路徑上，因為連線路徑必須承受電路整體的電流，使得我們必須加粗連線路徑，以提升路徑上可承受電流的程度，避免連線路徑因電流過大，導致大電流而燒斷連線，形成斷路。從另一方面考量，因為我們加粗Power lines，使得路徑上的寄生電容變大，當power line有雜訊時，可以透過此寄生電容達到減少雜訊對於電路的影響。

1 M0 ?8 Z) c4 t其實講了那麼多，還是要多多練習如何編排MOS元件的擺放方式。還有就是設計電路方面自己也要懂一些，才知道為什麼電路要這樣子設計，這麼一來對於電路的了解也會更為精確、也可以考慮到更多的效應。

seuzhn

类比的尺寸比较大
$ `: F/ W; g& _) R. ?, _而数位一般是最小尺寸
* v7 J: D: n! h9 o( ?! _这个方法比较简单可以分辨出2中的不同
2 `6 x' ]- G' Z2 U# [很多的东西都很难一言蔽之，要在联系中体会

lin.weite

1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
5 i# P2 n0 }1 k& X
RD設計出來的電路是Digital,就是Dgital Layout
4 _( i0 B% F: ?% ARD設計出來的電路是Analog,就是Analog Layout
在Layout上沒有很明確的去區分
2 I6 Y' N: G5 F. u' A; Z( n+ N/ j7 T在製程上倒是會有所區別
" @8 j2 G1 |, @( I" m4 b5 G一般常用的製程有
+ L: c% m: G6 q0 }7 ?0 l0 Q5 l/ cCMOS製程(有純Digital,有Mix Mode)
Biolar製程,Bicmos製程,BCD製程....
就看RD設計時所需要的元件,工作電壓...去選擇囉!!
( ^: r  e* T! ]( N/ a
9 \" y# ^( |! m4 t# o2 Q2 d2.數位與類比畫法的差異?
1 r- P, ]5 e' w) F
Desing Rule是固定的,很少會因Digital或Analog而變
要說Digital與Analog的畫法差異
應該說是在Lay Analog要注意的地方會比在Lay Digital時要多
5 G- E1 c4 M* F& u" U通常Lay Digital只要符合Design Rule就可以
但Lay Analog時有些原件的擺放方式就要注意囉!!
* {# f$ c% f7 P' J% s
4 d: c' @8 F( l9 H7 r3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?

1 Q: \7 _; R; b# N  {& M電容,電阻的產生,取決於你使用那種製程
0 j0 ~0 Q1 f( `7 c2 z電容一般常用的有Mos Cap,Poly1-Poly2 Cap
0 |' Q! g6 S5 `電容值算法,一般FAB廠會告訴你每um平方有多少pF
& w+ z0 u7 m1 @/ w3 a" m/ u每家FAB的Oxide厚度不同,所以電容值也不同
$ \  h# F3 g; b: x2 n電阻一般常用的Well,P+,N+,Poly,Poly2都有
- P2 x7 y7 o# H! p7 A3 g5 {8 x% n阻值每家FAB也都不一樣

4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
" j) V( B' U1 j4 B3 a" X
' T$ Z( \4 |. [多拆幾顆IC,看看別人怎麼Lay,以及為什麼要這樣Lay!
應該能多少有些收獲吧!!