Statistical和Mismatch model

blueskyinair

請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?

) T2 h/ `6 J+ m. A7 C  I6 j: V感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
) `/ r; ]% ]& _  J4 i- N7 Y
如果我是拿來run OP的offset，應該用哪一個呢?
# A+ ?' j5 n3 ^) G
謝謝

blueskyinair

先謝謝您熱心的回答

, r& ]6 ]# S6 b  l3 O. x5 l目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
提供您更新的資訊~~

2 Q1 o: v) k5 W. `: M, F  h5 R不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
$ r; `1 z6 g% V% @若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
offset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?
2 P" |: j" @1 g; s6 X謝謝

blueskyinair

我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
2 W$ v8 }8 ^9 H8 f/ @4 f, p! }& u# m' W
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model

1 {7 A' D" @- B; c5 y: K請問以上的見解是正確的嗎?謝謝