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[問題求助] Statistical和Mismatch model

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1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?- w9 F: C& e; k5 L) x5 g# ~" k

1 o* L- N7 D/ U) N感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
# b: K& B2 p& P, q6 \8 {) ?1 z/ }2 Z6 O/ {1 W5 o$ z
如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?4 y, z4 Q6 }' F; h% O( Y- Z! |/ J

' g) e% S5 `; E2 w謝謝
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2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model# z" |# w# V# [
另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題2 ~' @0 O4 w  G$ ^
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答4 y; W# O2 j( r* X" p

6 C( `5 t, A% i( a5 \9 i7 k目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
4 ?$ O# R6 U7 A3 C$ R提供您更新的資訊~~5 }: J* S& ]3 {* O6 J) j
% q* o0 M  ?8 s* D
不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?, u0 W! S% K8 [% o  z
若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?9 u, C2 K. \2 M0 D$ p6 o! b) |
offset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?. ~& l! |0 f+ e/ `
謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述- E3 d% U+ ^- P* j+ P; @  m
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬% @5 }. |9 i5 ~; g8 m7 J" g
因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看' u" f' h1 w9 ?; l2 U9 R
9 E1 K2 ?9 l1 ?) |6 F
至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數& F' @. ~% r  C$ X% U  C3 P
* C: W6 E3 U6 m3 ~6 r
另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
  m$ m3 V8 G1 p8 U8 u1 ]. b8 ~1 f. s
* B  f0 F3 {" t9 kStatistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
# }) G8 K# e, g) Qmismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
5 h7 ~) ~3 ]# I! A, O( m# o! m! P# n7 |+ {4 L1 b
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的+ B, U" U& q4 p' ~  k$ J
就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
- z4 W+ D2 Y: O. {* A$ e8 i; S2 g! `3 ?! {, w8 R' b0 Z
而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model
' B) v7 C1 {+ Z. D而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
9 J+ l4 z# D( J- P一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

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blueskyinair + 1 謝謝

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7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

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blueskyinair + 3 THX!

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8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑" ^9 r. x0 b6 g6 l! e& d+ b
我太偷懶了
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