Statistical和Mismatch model

blueskyinair

請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?
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: m$ Z8 B1 d. f' m: K) \( Y; n8 w+ u/ q0 H感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo

8 o" m1 h! x" n如果我是拿來run OP的offset，應該用哪一個呢?

, ]8 Y* p6 O% \7 K$ n謝謝

finster

一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
: b3 x7 p$ D7 ^, Y& _' g5 P( r另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo

blueskyinair

先謝謝您熱心的回答

9 p1 x1 z& x* {  b3 x' b目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
提供您更新的資訊~~

% c; i/ B- {9 S2 [! h5 S不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
, Z( k; R* q( D) |若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
+ x3 ^- }' e1 w! h7 ]' _; goffset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?
7 f8 {  t  A5 P- ~謝謝

finster

Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
( f9 w% m- u6 g) |+ W2 n因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看
" M( r$ H+ `! K% L6 x
0 e; u; }0 Z& y3 a2 ^! r* C至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
' J( C2 P  Z+ O3 k
另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model

blueskyinair

我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解

  |! M: G+ B; V/ V7 g+ FStatistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
% E0 n7 g0 B# v9 I  H
* V# O) B6 r- {$ [$ ~/ g請問以上的見解是正確的嗎?謝謝

finster

我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
2 g( R& A9 B  g- J8 N3 |7 D- }& V7 y$ V就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
+ S0 d* ?4 ]4 v/ n3 u7 }. ]
而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

daidai

As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

AIC6632

哎呀，這個都沒去跑
我太偷懶了