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[問題求助] Statistical和Mismatch model

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1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?
( Z5 `8 F5 Q. A3 D# P, I: B2 }1 u! y
感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
' E. J0 Z% Z$ d  _5 s& [
) _8 h% P' A6 x如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?4 _" v1 G& q# c" D; N
7 g3 T3 x$ M! I  d; O) h. r
謝謝
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8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑
7 E) _2 v; K2 c3 N- x% O我太偷懶了
7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

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blueskyinair + 3 THX!

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6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
" ?# k7 ]# D7 U( H就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
5 B% N3 Z4 `& G) P
8 V- q' U3 s* q5 O; I% z而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model
$ D4 ~: w$ b1 x* J0 R" v而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣# H  F0 I3 I* n  U' \4 S: l
一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

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blueskyinair + 1 謝謝

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5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
& a9 f2 w/ E: @/ [, D$ W. p
& b+ b: ?) [# [0 Z: m6 c4 ~Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念4 J- w+ C$ P3 F) {2 w
mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
& w8 Q- Z9 I! V9 d. x3 z  W  |; c  ~! C/ J8 |" U
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述
4 `, g8 W# D  W3 t* |3 n而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬' f1 w+ M( j( m, R: X
因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看+ L( e7 g; y$ e) O
* a0 b$ ?7 n/ y) ^; {6 p
至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數8 r! z4 }7 \+ |9 L, `

  w1 @, K0 }: S; v2 m* N另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答
8 t1 \$ t8 Q8 @  X' F6 i
$ n- Q2 H$ B, ?( E1 y( K目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
4 ^; Y, Z, g% o" E, [* C5 i( H提供您更新的資訊~~
  }6 e+ D1 ^. A7 F$ }6 d
( b2 Z+ w* |! j' M& _4 n9 @不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?$ O# x9 M! o" k1 N, i  X) u9 W
若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?$ o# e! m1 E& C: @' F5 z) O( N
offset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?
8 _% ?5 @+ d1 G9 @謝謝
2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
. a4 Y- S; H% i4 G0 |$ k$ [另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題: {  C$ D, a, Q/ \# W6 Y9 c
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
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