Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 2732|回復: 4
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] model中u0和什么有关

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-7-15 09:49:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我看厂家的model时发现不同W/L的mos管的u0的值不同,并且差别有的还很大,请问各位:u0和什么参数有关?为什么会有这样的变化?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2008-7-16 09:18:58 | 只看該作者
u0  我沒記錯的話 是 移動率 - s, ?5 I, g/ Q9 U5 p2 M
n 是 p 的3倍..
3#
發表於 2008-7-16 16:57:31 | 只看該作者
"U0 is zero field mobility in the universal mobility formulation,
" p  C+ s0 d$ r1 wwhen the device operatioing temperature is equal to Tnom"
5 [3 w5 \0 a% O4 x4 X! f(default:=0.067 for NMOS, 0.025 for PMOS).7 N: w  N, c& R7 W3 I% b% r9 m# E
簡單來說就是遷移率. h% {/ z. t* I
因為每家fab製程不同(GOX厚度,polyCD大小...),所以有比較大的差別
4#
發表於 2008-7-17 07:58:55 | 只看該作者
有些FAB的DEVICE MODEL 都有 MODEL CARDS7 Q) r5 I8 P* ~8 `
會根據不同的 W/L值 來給定一個 Device 參數模型! ~& E8 G. l  S+ n. m2 u. z6 P
有時候  不同的W/L  遷移率 不一樣  不代表真的不一樣
/ l1 X4 _+ `% _1 ~. a5 u- h5 o4 K/ k% G很可能只是  該FAB TUNE MODEL的人  只去調某些參數  : {0 ]" ?4 ?- `9 W6 V) T. m+ z
讓MODEL 符合 量測的  IV 或 CV CURVE.
5#
發表於 2008-7-18 13:06:57 | 只看該作者
同一種type的mos的u0會相差很多嗎?9 C8 {6 n  c* ?% Q& f
我真的唔知了,也許如樓上所言吧
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-4-28 12:31 PM , Processed in 0.104006 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表