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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
7 {. \9 [7 `; I5 Y+ T它們的差異在哪裡呀?2 C9 B1 b; F( Z. x- o1 ?$ [5 r
請知道的大大share一下!!
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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:
& `9 j, V* P# {"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting 5 ]+ H3 Y; A  C& P2 W
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
( b! b; Y2 ^8 }, w' _: p7 [VIA ROM may have bigger cell size "

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer5 F2 S" b0 x& [8 S: r! y. J4 Q
不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
7 E2 \0 u6 l/ Q: @  R7 f! sproject,選用Diffusion ROM是很不智的。
8 T+ T; S8 Z6 ]: z9 a0 Q# g但他有面積小、速度快的優點。
- ^$ S) t5 U. b- R2 `9 C9 }- q) I. K$ g4 x1 ]
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的* H8 n2 V, `* k- L! A( X# A
方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看
& m9 h: Q5 d! P4 w! P5 f0 ]你要投的fab有沒有支援此process。
. P# D$ P2 }" u3 N7 `- \
# C: A; _* ^5 n% N- e* MVia layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
, K  ?" b! ]  u4 Z$ Z8 w
+ L2 T' V, H' S0 o' j' r( z# ~[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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