請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
" c5 W% T; l' o% i1 U5 ^
: G; P/ w, Y5 V" v+ i! |: j! h4 h- Q但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
8 Q- I6 C$ V) _5 k% m
供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化

這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多
; F) ?, x$ a- ]4 J
& z: s  N: D$ W) X! ]/ pNMOS還在0.75左右
* M+ Z0 }" y" b, n% B' w, f
5 x" ~6 j6 C1 a0 I- _: a% F

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
3 d8 ^6 S4 n6 W7 s% a4 m* y最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
1 a/ _8 M2 L9 W  t6 M$ e" }這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能

查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
, S( u! }+ F) q+ U
, Y. r8 g6 x: @- Y! T3 R) l0 Ymodel file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
( R, V" A! G/ e7 }  M) z( u3 B而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
$ p' G% Q, X2 h, @5 ]) F3 o3.3v 遠大於 0.7V
其實不用太Care
1 B/ v4 a8 L9 V" ?9 m) T/ V5 V
VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？