請問latchup的正確講法

tommy01

latchup是因為靠近Rnwell電阻大,所以VB1<VE1=VDD所以第一及的BJT導通,所以產生射極電流,然後產生集極電流,集極電流流到Rsub(大電阻),所以端電壓升高也就是第二級的base端,所以第二級的bjt導通,所以產生第二級的Ic電流,所以IB1的電流變大,導致IE1也變大,如此一直循環導致電流越來越大,把晶片燒毀 不知道這樣說對不對,但書上說是VDD跟GND短路是捨麼意思?不是只是因為電流太大的緣故嗎?
) e: P4 S# e+ ^# ?% v- E請知道的大大回答我 謝謝

y2kperfect

hi~
( H. _. K' f$ h6 ^) P! s電流太大,形同短路
所以直接說VDD與GND SHORT

yhchang

我對這問題的理解如下:

1 e8 \9 u) O3 w1.
/ m) N. q  b+ R1 z+ YCMOS製程  我們做出來的電路  如果正常工作  電流應該是會在 substrate 基底的表面流動.....
比方一個  反相器  如果正常工作時  不是PMOS開 NMOS關   就是NMOS開  PMOS關
/ x' v  t1 h- @3 T4 V. X如果哪天   NMOS PMOS 都開,  那這個反相器 就無法正常工作了  (已經沒有反相的效果)
- ^& A% k0 \$ P+ T  \輸出  OUT  那一點  PMOS NMOS的電流在 Fighting.  此時  電流正是從 VDD流到 VSS去...
  e" B+ U4 y. L* H# r
2.  我原本預期電流只會在基底的表面流動.
5 z5 I; R; H$ x     但只要LATCH-UP現象一發生  電流卻會在  基底  底下 由 VDD 流到 VSS.... (正常電流流動在1F, 此時LATCH-UP, 電流是在B2或B3跑)
2 I* O5 W& n$ L+ c     (這是我不想要發生的效應,只要一發生所有邏輯電路都不能正常工作了...)
/ G  }5 i, S) C  m     其他就麻煩您自己看教科書   SCR電路  等效於  CMOS 剖面圖的 相關說明, Latch-up是個不可逆的效應  只要發生 Chip就會死得不明不白...
. q8 H" K# U' u     教科書上通常會寫  降低Rwell電阻或是降低寄生BJT Beta去壓制 Latch-up效應,
& d3 V9 e/ @. e% S( Q     Layout上常見的作法就是每隔一段距離就要打 contact上去
" s# u# m& c" @2 F% M! G4 t6 D      主旨就是在降低 Rwell電阻.
     不然就是要圍 Guard ring或 Double guard ring, 其中一個功用是 讓 SCR等效電路不要出現,自然就不會有 Latch-up的危險.
6 A( p8 l& a/ v: `6 V* B$ Q
% T! a4 s& e5 d; A: ~" m如果這些內容有什麼遺漏或有誤的地方,也歡迎大家多補充.
6 ~& t  V& T& L, Z2 t- g7 p0 ^; [
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-3-20 08:37 AM 編輯 ]

ryan1

請問一下什麼是SCR呢?
**因為要防latch up 就高壓與低壓隔開.ESD的PMOS 與NMOS隔開.

y2kperfect

SCR:矽控整流子
3 x2 `; N) a% `3 j! @6 i: c5 t6 H其實就像BJT,只是它用來做開關而已
但其結構是為PNPN,啟動後就永久開啟,需OPEN才會停止
6 O8 Y; w! A* a: p典型的SCR開啟時間是1us左右,關閉時間約5~30us

minxia.lee

这几天老听到说片子LATCH-UP了，但是我从书上看到的，这种现象只在PMOS NMOS之间容易发生，若单种MOS管在一个地方的话就不会发生，是吗？对于这个问题我一直不是很理解，请各位指教指教~

ryan1

Thanks for your answer.
Thanks for your answer.
Thanks for your answer.

yhchang

我的理解是 如果 PMOS 與NMOS 距離夠遠  中間又有 Guard ring 圍住的話
2 A: z2 a/ j( k8 `9 I' F8 ]那麼substrate底下所構成的等效電路 就不是  SCR電路
而是單獨的 PMOS  或 單獨的NMOS

betterliu

接樓上：
) c# j& N7 P  N4 n: \5 S其實我也一直在想，經常說的latch-up都是PMOS和NMOS之間的，但是好像聽説異電位的NWell之間 更容易 發生。
還有一個問題是，如果NMOS的一個端接的是VDD要注意什麽，是不是要注意ERC會引起擊穿還是什麽啊？

arthur03226

原帖由 tommy01 於 2008-3-19 11:59 PM 發表
) P; D6 O9 m5 X  V, r' r) Flatchup是因為靠近Rnwell電阻大,所以VB1

latch up一但發生，最後的結果不是gate被打穿就是juntion punch through或是metal燒毀。
7 `0 h+ ]9 v0 f除了最後一項原因，其他會導致vdd gnd short所以書上講的也沒錯。
# h8 T+ _4 u- K& b4 }只是他只講出結果而已。

Liwayi

蟹蟹大大分享
  ]* j8 t7 T) a  i1 m# Y# ?受益良多

a5416148

謝謝講解
早一點看到就不會懊惱就麼久了

woga668

謝謝大大無私分享
+ A6 t& v8 C6 W受益良多感恩大德

CrisWu0966

謝謝大大無私分享
受益良多感恩大德

huangleelung

CMOS剖面圖畫出來，寄生BJT跟R標示出來，解釋一下寄生電路的動作原理

szona44250

感謝大大講解
* o  y& K; d1 q8 W非常謝謝

nyy34345

Thanks for your answer.
Thanks for your answer.
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