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还有一个问题,我们在做IO 管时,拉大CON到GATE的距离,大概3-4um,& ...
3 S. o7 S2 m* o4 Vscy8080 發表於 2008-10-31 12:07 AM
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拉大 CON到GATE的距离也只是拉大drain 端CON到GATE的距离,不会拉大source端CON到GATE的距离(同时一般会将salicide也去掉),
V- r H: u, R) F4 M4 x$ H. L. I其作用是增大drain端的电阻,相当于在drain端串联了一个电阻,起到在esd 冲击时保护自己不被打坏;能保证ggnmos下寄生的诸多npn管0 J( I- h0 \; C( p5 I
(gdpmos下寄生pnp管)能够均匀的被打开,进入snapback状态,泄放esd电流;如果drain端这个等效的串联电阻不够大,寄生的诸多. O& W+ `9 _. X# b( v
npn管(gdpmos下寄生pnp管)可能不能够均匀的被打开进入snapback状态,只是有的开有的没有打开,而esd的电流或者说能量是一定的,
, ?" y. ]1 T# T% ~; v, F必须泄放,电流在局部逐渐增大,出现二次击穿(热击穿),把device烧掉,我们通常看到的emmi图片上出现在source与drain 端的那道小& U# l2 w4 r5 D% k
暗条或者drain端的小洞洞或者gate下的小洞洞,都是被烧毁掉的痕迹! |
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