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[問題求助] hspice 問題 有關mos內部電容指令

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1#
發表於 2008-3-10 00:36:53 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
mos內部電容要看Cgs Cgd Cdb Cbs
: L% i- U5 a2 q& D: R2 B. J& o9 N( C  q
要怎麼定義用
8 Q. r3 H# ~1 |; `  qplot LX??  X4 D- }1 I: R9 C+ @5 k
2 F, n) e; ^/ r) D4 u8 i4 I0 M
請各位幫忙一下
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2#
發表於 2008-3-10 10:40:31 | 只看該作者
直接下.op及.probe5 d6 T6 U# W4 h/ B, M- o
找*.lis檔(模擬產生出來的檔)裡的MOS就可以看到您要的C值了

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參與人數 1Chipcoin +2 收起 理由
yhchang + 2 簡單扼要!

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3#
發表於 2008-3-10 11:24:54 | 只看該作者
您得隨手  查一下 manual .
3 H& u+ F3 N; O. L( g3 L" J7 |7 i
% j! O& {) j9 v/ l- W1 i0 HCgd Cgs Cgb 可由 lx(19) lx(20) lx(21) 分別 print out.
) Q  J3 J* K) e; m+ e
& n! N) A* s1 d( o" U3 F) D+ |" q# Q' j% r0 d( p
For your reference.

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參與人數 2Chipcoin +2 +2 收起 理由
yhchang + 2 Good answer!
jerry1 + 2 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2008-3-11 11:17:50 | 只看該作者
CAB_BS    LX28
4 y7 B2 T+ ]) \9 m; [$ ?CAB_BD   LX29% v- k, z; z2 H- K9 p2 k
$ H0 L" C" C( c
其他我找不到8 @4 u- B# e- L8 f
Cgd Cgs Cgb 可由 lx(19) lx(20) lx(21) 分別 print out
1 ^+ b# W$ a- ~8 Z/ \這是 CGDBO  CGSBO CBGBO: g/ c! u/ ^1 I- V

0 f. {- f( \7 J1 Z+ _! {8 W不一樣
5#
發表於 2008-3-12 23:24:54 | 只看該作者
Refer to "HSPICE User's Manual: Elements and Device Models Vol.II"
# b" X- S4 P4 V* T6 MAn example for your reference...! q- S% r! m5 c5 B
) i' {, O* @) g7 C" u
----------------------------------------------------------------" j1 D$ N3 d+ a" q* b3 o
***** Gate Capacitance Plots *****4 m7 y% H; E. r2 z
.lib 'your_component_model' lib_corner
! ]; X- b. Z, @: [) }  L.temp operational_temp  s3 d; v8 ]! V
.option dccap=1 post+ Q$ [* G$ P( y
m1 n_drain n_gate gnd n_bulk l=0.8u w=100u ad=200e-12 as=200e-122 h  r& p1 @) I% r8 {1 I0 p
vd n_drain gnd 05 J' x8 u9 ^7 P* \9 {! v
vg n_gate gnd 5
" O3 t1 e; n% I' q6 B: }vb n_bulk gnd 0. u, d' P1 h  p: B
.dc vd 0 5.0 0.10 u- @& m# [* X' V5 p* F0 M
.print   CGG=lx18(m1)& n) z2 ^. a1 e0 V5 W
+        CGD=par('-lx19(m1)')
* x& v! s* k9 X9 X: Y/ ?+        CGS=par('-lx20(m1)')
& I& V0 |: V& o+        CDG=par('-lx32(m1)')
8 F- j) M7 g7 E+        CSG=par('lx18(m1) + lx21(m1) + lx32(m1)')
; k! E! g* C. P+ D" g/ q+        CGB=par('lx18(m1) + lx19(m1) + lx20(m1)')' c3 B) n3 H  y! m, ?
.ends' |( p( f+ b. R5 J) C* D

& @$ t6 p  ~5 P( f% L# {----------------------------------------------------------------0 u2 L% |1 C7 B5 ?" j, E7 ?
Six capacitance are reported in the operating point printout# b/ i4 Z1 E6 \' Y$ f
    cd_total = dQD/dVD
. u( X% }) }9 E1 X9 V$ L    cg_total = dQG/dVG
1 k  U1 S9 k6 r0 b% Y& {7 Y+ `    cs_total = dQS/dVS
2 R% k/ |! S7 r1 f+ E3 V; V. \  y$ u    cb_total = dQB/dVB
) H4 @5 I5 t! q8 R. r1 B' t9 E    cgs = -dQG/dVS' x% t) Y# q- H# R0 g
    cgd = -dQG/dVD8 o/ H' A2 U9 H7 p6 ~; d) ~
There capcitances include gate-drain, gate-source, and gate-bulk
% C. X" ^4 \6 p0 doverlap capacitance, and drain-bulk and source-bulk diode capacitance.; W, ~4 F) J5 A* {& H  t, Q" [

0 [# |- `% b7 o0 h' iCGG = dQg/dVG
# B2 Z+ [  p4 dCGD = -dQg/dVD; s! t9 O* t$ v' N9 p5 [' H
CDG = -dQD/dVG
$ ]/ S6 e7 {/ o7 R& \8 o( }0 I. b
The MOS element template printouts for gate capacitance are LX18~LX23, d! ?" n3 i, y! Q7 j: o9 ], m0 x7 ~
and LX32~LX34.
1 {& o. Z, X: [! |# B* l: u* o& ]9 h. u' Z  ^! L
LX18(m) = dQG/dVGB = CGGBO$ {" k! K: [, ~+ Y! o
LX19(m) = dQG/dVDB = CGDBO( B: ?$ f: v6 E9 f3 ^
LX20(m) = dQG/dVSB = CGSBO6 U8 d/ \- F. R  g% {3 l
, @$ ^. M1 L8 c) R/ p' s% ]
LX21(m) = dQB/dVGB = CGGBO
" z4 i, U+ A: }+ T& g( JLX22(m) = dQB/dVDB = CGGBO# ?( w9 S3 ]4 c: g
LX23(m) = dQB/dVSB = CGGBO* B$ l8 f6 v' T5 y
# H  S: ]& b$ S* e: n6 V0 B
LX32(m) = dQD/dVG = CDGBO
# t9 d8 h  k: c" @' P) T: r7 P$ ^4 iLX33(m) = dQD/dVD = CDDBO( `, ~# K/ P- S0 i+ M
LX34(m) = dQD/dVS = CDSBO" a- t+ h+ Y% ]1 L* k/ b+ t8 H1 e; J3 y

: K9 _- t2 n( |1 {4 ~( k8 G' |The equation shown above is for an NMOS with source-bulk grounded
1 l. _" k# S7 y9 o4 `configuration. Refer to the user's manual for more detail ^^

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yhchang + 5 Good answer!

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