用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
& ^9 V2 T3 u5 ]* c6 b2 M請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
" M2 Q$ {5 p1 W$ `- s. i
* Z: d) i. j4 @7 Q$ k2 x2 j感謝各位的幫忙.

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

) F. m! X% ^* H- J# t4 l/ M  ?! h比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
  \/ ?: S; }9 l- Z" ^8 }....
.....
.......
) p$ K) v- e  d# ]# Q2 p6 A.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
6 _8 h$ Z5 b- D# n% _0 A! g$ R; e如有錯誤，請大大們指教~~~
# p/ @. O+ z0 D6 }) W
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
7 }1 @# q; A- l我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

哪位大大可以補充一下下?

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
" C& o: J. X- Y$ D5 O/ Joxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
# b, `' t8 Q2 e5 g但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
0 u6 i( H. C4 _" r建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件