用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
& A4 m' {4 I/ z& V# m2 W" V請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
+ V  o7 R( s; o7 Q) n' G  d因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
) A$ @$ [& `) J
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
: D6 f5 F' M& H# T% W+ L可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
+ \; z0 n2 r& y/ k) G4 Cspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
# e1 J4 f" `* M2 q1 U- c6 M使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
3 H9 x6 k, f3 n* t: U9 j: P
3 x7 l7 E$ h2 @: j, J) @8 w哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
5 g0 E. {$ o& [7 m+ @.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
, [8 D% }. G0 k3 o, f2 `) d6 |1 [.....
.......
0 J- R& z, B  Z3 K' O: v: K.end
9 @* U6 T' n/ A8 f& V" \然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
& d' T# ~) S; q& V& n如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
" o# G! i7 E2 W我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
! a5 ?, A# K- A- `
% Z1 \* S$ k& j. g& Z( @5 c比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值