用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
- ?" J' y  Y9 ]0 I, G請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
% d% v; a; S* N7 B5 \* z因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

9 n' t& @7 w, i8 k9 Z7 z感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
1 k8 C/ Q5 U  U, B6 S3 qoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
7 C5 g0 K9 j/ }2 i) M- ~: P, Y2 {可用軟體模擬出C-V曲線,
4 Y; J+ t/ l' D: |$ u9 `% WBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
' q! v7 O' ?8 n7 Y也就是長在NWELL裡的NMOS,
5 ^; f4 M8 I* g. h2 V4 w( M: Cspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
: x9 G) m- P% _  d' K0 I使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
3 ^& H: O1 h) v! k+ k" N- x.print CGG=LX18(mn1)
$ C! P( w8 X; ~7 ?.dc vin 0 5 0.1
....
% @3 H5 ~: N" y.....
.......
.end
3 L: g; O4 |- O2 y6 G! W+ w1 k然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
) B3 C3 @; A1 f7 r) z如有錯誤，請大大們指教~~~
: |! E* _$ S% W. v! v6 {2 U
3 C  H0 _3 O9 _& w. ?/ g1 N/ f對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
/ i) Y: `) |/ X" x9 O. N6 m  f1 p我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
0 e) J. l  m- [3 e& E1 {
1 p, E: P8 Q. G! O7 V* V比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值