用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
1 V5 G: j! E3 K5 n9 ]6 \7 Y請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
; F2 y2 n; P" e9 D7 e4 }因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
( K  ?) Z6 M% d7 \) v- wspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
8 |0 a) z7 |5 {0 S4 M( z使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
9 X1 I' }' N2 T' Y* B
* l1 d* c% m) c  T: |哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
$ g. Q/ `1 C0 v5 e' o" z.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
( ?, W3 o8 u/ u( f.dc vin 0 5 0.1
7 l  E8 B) n; |, P6 A: l....
.....
.......
( T/ o. [; M" P. R; M.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
/ P) B- }7 L2 K* S$ G6 i我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
  U  l8 P. H% _7 l3 [( y- b+ f/ ]而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

% g( |0 N( f8 K& ]5 }/ L比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值