用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
' o: |$ ?# r6 q0 j' U$ Y( L1 p: T請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
4 ^9 _, ]# J$ r9 C. j  c
5 f3 C* B' W0 e/ ?  z0 c感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
3 e; I# A% u8 G7 Joxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
1 p; A- Y7 E" e  O' Y! N8 r# b但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
$ r0 B& f) O8 d( r5 ?8 U可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
1 z! \6 p; n6 f& Uspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
* {4 O2 R. q9 r, h3 q使用這種元件並不需要多加光罩,
, Y; T) Y0 \8 v# H* o+ ^建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

' D; Z# t! X+ K" O哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
( F, O7 H5 Y( w5 f, ~6 S" V.option dccap post
  Z: K# [$ B6 \2 B2 W' a+ }# H.print CGG=LX18(mn1)
5 U$ b" M7 O5 ?3 r/ _$ Y- v) H% Y.dc vin 0 5 0.1
....
.....
8 d6 l) a3 k2 d9 r. R.......
, c' h: ]: t  R! b* P5 g( d) g.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
0 O: b2 ?( S( ~* y2 m8 F' H
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
, N6 q% c& T! U/ A/ ~: N我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值