用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
& S. O" j9 a& X, Q: r因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
+ t1 a" k& U0 G. z& s" B
  B7 ]! T8 R. P) n2 t# W感謝各位的幫忙.

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

; w  J( C# ]" R4 u比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
* H2 P( d2 h" X8 _+ _( k.option dccap post
1 h* p/ l9 [' D; \* E2 A" r.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
/ b% a- g, ^  O.....
0 i) s: b, ?9 I' o* ^.......
8 ~! c4 F  C/ N.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

- w3 x, g: ~) K' c' n$ {3 W' v對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

哪位大大可以補充一下下?

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
% [9 n1 M# T8 z( O% F5 H但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
0 y/ S+ \9 W! q4 \可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
1 R4 y1 ?$ O5 S; j  y3 z# gspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
+ {* _3 ~6 w0 x/ e9 a/ {/ P使用這種元件並不需要多加光罩,
, Q; W7 N; ^0 V- e9 r1 f建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件