layout中該注意的事情

cindyc

想請問一下 有關 power,LDO...類比方面的各 block 中

7 c1 J. ~3 c% y: b畫這些線路時你們都注意哪些方面的問題

$ e7 l, {$ {3 a% N可以互相討論一下嗎

回答時也請說明哪種 block
: }% D: w" h3 n3 F! }6 U7 q* C
  W1 Y, V5 V9 V# D! e2 t[ 本帖最後由 cindyc 於 2008-2-13 12:21 PM 編輯 ]

kstcandy

剛好要瞭解這方面的資訊，正好做來參考...

" }# n  O* R9 B4 V7 A$ G' P$ J% W) f5 Z謝謝分享...

lethalkiss1

22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属
同问！！！ 不明白原因

semico_ljj

"22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。" 不会吧，我就是这么做的？？？有问题吗

minxia.lee

22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。
做了会有什么影响？

minxia.lee

1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.
请教二楼，是否一定要这样设置？倘若我按照规则上的最小尺寸来设置，可以吗？

world776

布局前的准备:
% K  S. U3 ]# u7 v/ i1 查看捕捉点设置是否正确.08工艺为0.1,06工艺为0.05,05工艺为0.025.
7 p1 G1 M# y( J2 U# e. r2 Cell名称不能以数字开头.否则无法做DRACULA检查.
, V# H7 U5 Q& R7 {- y: l3 布局前考虑好出PIN的方向和位置
4 布局前分析电路，完成同一功能的MOS管画在一起
5 对两层金属走向预先订好。一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。
6 对pin分类,vdd,vddx注意不要混淆,不同电位(衬底接不同电压)的n井分开.混合信号的电路尤其注意这点.
7 在正确的路径下(一般是进到~/opus)打开icfb.
8 更改cell时查看路径,一定要在正确的library下更改,以防copy过来的cell是在其他的library下,被改错.
- `; u* Z; Y' |- U& D- U" j% P) O9 将不同电位的N井找出来.
  E7 R7 o& [, |7 p布局时注意:
( J: i' Y* C- n  G2 M10 更改原理图后一定记得check and save
11 完成每个cell后要归原点
12 DEVICE的 个数 是否和原理图一至(有并联的管子时注意)；各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后，会对布局有大概的规划，先画DEVICE，(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线 必须 先有考虑(与经验及floorplan的水平有关).
" r; _7 w  F3 d- B13 如果一个cell调用其它cell，被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来，要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来
14 尽量用最上层金属接出PIN。
1 ]' x! _& k# c- w/ I15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间.
16 金属连线不宜过长；
. u- W. m0 _" H8 q; _4 u0 r5 C% C0 C17 电容一般最后画，在空档处拼凑。
: X4 o6 U: \3 J. _4 b/ D18 小尺寸的mos管孔可以少打一点.
4 ^& x) I$ C- \' E19 LABEL标识元件时不要用y0层，mapfile不认。
/ h$ x4 O5 X: i. W1 `7 O) X20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小.
21 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联.
22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。
23 栅上的孔最好打在栅的中间位置.
  r0 F* I8 W0 I" Y' R% V$ q, I24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅.
, [4 W& ]: V/ c  b* e8 N! u25 一般打孔最少打两个
26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值.
6 U# R, A* {0 c) I2 ^2 s! t3 [! p27 薄氧化层是否有对应的植入层
! K1 ]% M3 |$ p7 ], D28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间.
: X$ S2 z6 }+ S/ Z$ \+ w29 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度
" }: {5 n+ h3 u30 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。
3 g/ b" ], u0 W31 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去。
32 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造.
) b0 Z5 P3 I+ X33 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开。
) X) L% S: ~3 [) {34 Pad的pass窗口的尺寸画成整数90um.
35 连接Esd电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层
2 T6 N& x3 Y- x; {! a& Z36 Esd电路中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB.
$ o0 v! @- M4 N37 PAD和ESD最好使用M1连接，宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD电路上打。
1 v: y$ P. {+ D* N; q$ p& W38 PAD与芯片内部cell的连线要从ESD电路上接过去。
, \# h. v+ w: s0 A% }7 h2 B39 Esd电路的SOURCE放两边，DRAIN放中间。
40 ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响poly.
41 ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上。
& l* `9 G2 {# @- t4 M42 大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP.
43 NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好.
& \, X) v8 R( A4 b1 c3 [44 只有esd电路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD电路？上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用.
45 摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内.
9 c. P$ Q3 W% I/ y46 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置）21中心匹配最佳。
47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.
48 在匹配电路的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距.
49 电阻的匹配，例如1，2两电阻需要匹配，仍是1221等方法。电阻dummy两头接地vssx。
" f6 ^; f  t( X0 S! e1 o* D, q* b50 Via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面.
0 v9 c2 M) A7 h7 b* m51 05工艺中resistor层只是做检查用
52 电阻连线处孔越多,各个VIA孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小.
53 电阻的dummy是保证处于边缘的电阻与其他电阻蚀刻环境一样.
54 电容的匹配，值，接线，位置的匹配。
# a% a2 A7 D% ^55 电阻连接fuse的pad的连线要稍宽,因为通过的电流较大.fuse的容丝用最上层金属.

56 关于powermos
① powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接，
& j) j2 `2 B; `0 P8 w② 几种缩小面积的画法。
③ 栅的间距？无要求。栅的长度不能超过100um
1 _, m. Z# n4 H/ C0 F57 Power mos要考虑瞬时大电流通过的情况,保证电流到达各处的路径的电阻相差不大.(适应所有存在大电流通过的情况).
; r, z8 [1 Q6 n3 {) T58 金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向
59 低层cell的pin,label等要整齐,and不要删掉以备后用.
- b. V4 _; _; `" S  k( _60 匹配电路的栅如果横走，之间连接用的金属线会是竖走，用金属一层，和规定的金属走向一致。
4 U& b! _/ E! W9 D) m61 不同宽度金属连接的影响？整个layout面积较大时影响可忽略.
; |) }. B8 U/ [$ _- E1 D/ z62 输出端节电容要小.多个管子并联,有一端是输出时注意做到这点.
63 做DRACULA检查时,如果先运行drc,drc检查没有完毕时做了lvs检查,那么drc检查的每一步会比lvs检查的每一步快;反之,lvs会比drc快.
/ ?! S5 y+ Z2 U- S, s( j64 最终DRACULA通过之后在layout图中空隙处加上ptap,先用thin-oxid将空隙处填满,再打上孔,金属宽度不要超过10,即一行最多8个孔(06工艺)
65 为防止信号串扰,在两电路间加上PTAP,此PTAP单独连接VSS PAD.
, I% i3 y  D' D66 金属上走过的电压很大时,为避免尖角放电,拐角处用斜角,不能走90度度的直角.
67 如果w=20,可画成两个w=10mos管并联
3 W. d* Q. m3 j/ C68 并联的管子共用端为S端,或D端;串联的管子共用端为s/d端.
出错检查:
69 DEVICE的各端是否都有连线；连线是否正确；
70 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线，特别注意VSSX，VDDX
71 查线时用SHOTS将线高亮显示，便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。
72 多个电阻（大于两根）打上DUMMY。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的NPIM层要超出EPOLY2 0.55 um，即两根电阻间距的一半。
( s! E  t# `8 c9 b$ x73 无关的MOS管的THIN要断开，不要连在一起
& X/ T9 D4 S3 r4 `$ e; c74 并联的管子注意漏源合并，不要连错线。一个管子的源端也是另一个管子的源端
8 ?# X# b+ z" C% o$ l' }0 h4 F75 做DRAC检查时最上层的pin的名称用text2标识。Text2的名称要和该pin的名称一样.
76 大CELL不要做DIVA检查,用DRACULE.
9 e" ]( U, f1 ?% r3 l7 I7 @, o77 Text2层要打在最顶层cell里.如果打在pad上,于最顶层调用此PAD,Dracula无法认出此pin.
78 消除电阻dummy的lvs报错，把nimp和RPdummy层移出最边缘的电阻，不要覆盖dummy
79 06工艺中M1最小宽度0.8,如果用0.8的M1拐线,虽然diva的drc不报错,但DRACULE的drc会在拐角处报错.要在拐角处加宽金属线.
80 最后DRACULA的lvs通过,但是drc没有过,每次改正drc错误前可把layout图存成layout1,再改正.以免改错影响lvs不通过,旧版图也被保存下来了.
81 Cell中间的连线尽量在低层cell中连完,不要放在高层cell中连,特别不要在最高层cell中连,因为最高层cell的布局经常会改动,走线容易因为cell的移动变得混乱.
. P' {+ R; ^4 v! _& j' X82 DRACULA的drc无法检查出pad必须满足pad到与pad无关的物体间距为10这一规则.
9 A1 ^5 V. o9 u, [$ g83 做DRACULA检查时开两个窗口,一个用于lvs,一个用于drc.可同时进行,节省时间.
; t, m4 V1 g7 \( k) [7 m9 x容易犯的错误
84 电阻忘记加dummy
( M0 P- E' a& J' g9 d3 e85 使用NS功能后没有复原(选取AS),之后又进行整图移动操作,结果被NS的元件没有移动,图形被破坏.
86 使用strech功能时错选.每次操作时注意看图左下角提示.
87 Op电路中输入放大端的管子的衬底不接vddb/vddx.
88 是否按下capslock键后没有还原就操作
节省面积的途径
. ~9 R7 V3 x1 a7 P. m89 电源线下面可以画有器件.节省面积.
/ U! `' A8 Z' _3 K5 v+ r3 t90 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用。
91 电阻的长度画越长越省面积。
; o  k; w; _( w9 G9 |0 r& Q5 e. e92 走线时金属线宽走最小可以节省面积.并不需要走孔的宽度.
93 做新版本的layout图时，旧图保存，不要改动或删除。减小面积时如果低层CELL的线有与外层CELL相连，可以从更改连线入手，减小走线面积。
' d& s( u+ [1 U1 b94 版图中面积被device，device的间隔和走线空间分割。减小面积一般从走线空间入手，更改FLOORPLAN