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本帖最後由 weilun_1016 於 2023-10-6 12:29 AM 編輯
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' z7 i$ f" T8 W! E3 U$ o各位前輩好5 L7 n3 w: T3 r* j
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小弟最近在畫layout碰到一個問題,遲遲無法解決,因此想上來詢問各位前輩的意見
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. c" G8 ]% t6 ]2 B9 @2 P; @小弟用的製程是 TSMC 0.18UM CMOS HV MIXED SIGNAL BASED BCD GEN2 SALICIDE, {. n6 y# n6 v$ C/ a
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在畫layout時有使用到 P+ Poly resistor w/o Silicide的電阻,而且都是直接用tsmc他們的PCELL
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但跑LVS時,layout轉出來的netlist檔卻沒有這個電阻,所以一直有missing instance的情況
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以下有幾點我有先確認過,因此才推測是不是layout認不到w/o Silicide類型的電阻:2 H0 \2 g( W& I
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1.用w/o Silicide的電阻時,跑LVS時,layout端會有missing instance的情況;一旦改成w/i Silicide的電阻時,LVS即可通過→排除接線問題, v5 Z0 J, \5 s7 @
% \8 P2 m5 R' n( O! i1 x% M2.在layout中將所有PCELL內所有w/o Silicide的電阻叫出來,跑LVS時,layout端都不會有Unmatched的元件
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我也有去看LVS Rule的檔案,知道這兩種電阻只差在有沒有RPO Layer (Non-salicide OD Area Definition),也確認PCELL內都包含了應該有的Layer9 c/ ~" F4 {) i8 r
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: u i5 {/ `! W; h. @若是自己按照LVS Rule定義的layer去畫電阻,就會變成在還沒覆蓋RPO Layer時,layout認的到它是w/i Silicide的電阻[PS],- k5 v/ k/ w( Q1 i7 w1 Q1 _
! Z; h7 ^" I) ]! t一旦在原有w/i Silicide的電阻覆蓋RPO Layer,就missing instance了。
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請各位有經驗的前輩能提點一下小弟,要怎麼解決這個問題,已經被困了好幾天了8 O$ U1 P" G7 q, f
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