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想請問各位大大我使用的製程是UMC18* M( l1 ^- h6 K6 M" ^- y* H
- t/ P& v ?7 q6 W# P
要如何知道製程的參數?
) L( _0 o: A9 }0 s如:Va , λ ,uncox等等... ^' q; b2 e9 X- t# B& d0 X
有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同5 O+ t9 ^# R1 }! e
ro=1/gds1 x0 ?0 h. f I2 _& o: g P$ q0 F
ro=1/λ*idsat
; \8 w) x4 A" A+ Vλ=1/va*L
* j) M, |# n- a6 ^2 U! G/ Q1 q& j8 Z6 ^! D G- I& w
例:7 g' O4 z( ^+ u: m, t' X0 }7 m
PMOS(saturation) PMOS(saturation)
) A, B' {6 \ H; s" R. F+ ]3 W' zW=25u L=0.5u W=25u L=0.5u
' ~) Q( _- w* ~: i ]3 z3 ^8 Sid -8.907e-05 -8.588e-05
2 F. J: }. L2 E9 I8 a% Bgds 7.941e-06 5.289e-060 p0 S2 u6 ~+ L
9 S/ K( z9 j6 p$ O ~, Y1 U
算出後:! S; D$ P# j) s. W( A
λ 0.089 0.061
. W( U% T5 R4 {" [! E6 D1 B) |3 B9 n% d1 l4 D, t) d8 W" f8 s
n$ Q6 [0 H& e2 F1 X
看有些論文寫說λ是工藝給定的+ L6 Y4 r' {7 y5 |
哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?/ k' ^8 U- T0 ~1 y4 |
: T+ q8 Q$ y- z/ d0 P |
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