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想請問各位大大我使用的製程是UMC18& r% d+ K# C. P2 b4 b3 w3 @
1 |- V* @# k8 p- R; j$ [+ j
要如何知道製程的參數?- ?0 p8 l9 h+ W- ~
如:Va , λ ,uncox等等...: v" p- c! b1 S* g6 B
有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同
! j' ]4 y. Y+ z3 mro=1/gds2 J8 k8 h7 {4 T! X7 H* |- E6 W
ro=1/λ*idsat0 Y( I- T4 B% J# h
λ=1/va*L/ p( v* I, E: u; w
9 ~, T0 E8 i. t& w U
例:2 U: X' U% v& k4 B1 k
PMOS(saturation) PMOS(saturation)# P' o* ^- V5 D9 v! }- T+ K
W=25u L=0.5u W=25u L=0.5u
( g& K' G4 y, U7 b% V, xid -8.907e-05 -8.588e-059 x7 [/ U! O0 O$ e" q. Q2 {
gds 7.941e-06 5.289e-068 V w1 N4 x4 s8 v
0 ~0 ~9 t, n4 ~3 D; V& D
算出後:3 S. C! v: Q) {
λ 0.089 0.061
7 {% c; @3 P9 ?: X( D8 C/ z8 f/ G' F7 Y- i
. G2 ?# F; q; l. Q" a看有些論文寫說λ是工藝給定的
6 S. G4 c6 x, U! Z& _6 l哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
, T. S; D- K" w' n# j8 @4 ~
! m) h( R$ {, ^9 Z% r# K |
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