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想請問各位大大我使用的製程是UMC18
* M g: P( Z; \; c' E: j
* g& z) \, @2 C* C% p+ `要如何知道製程的參數?
( s3 A2 Y2 n3 W# n2 r如:Va , λ ,uncox等等...7 }! P5 T% V, I. O2 R; T
有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同
# J) \) w" H2 I6 _8 Tro=1/gds$ b9 t H1 V- q7 }0 ]5 h7 K5 _
ro=1/λ*idsat
- `- ~8 s i- y0 [λ=1/va*L/ [! ^0 }( G0 M' w! S# K7 P
5 j, v2 D! S {6 C p
例:9 e" F7 G. [; Z8 O' D
PMOS(saturation) PMOS(saturation)
' H/ [# ^6 [ {& kW=25u L=0.5u W=25u L=0.5u# m) J; A* y; u8 Y
id -8.907e-05 -8.588e-05
) @. I4 w& \ Bgds 7.941e-06 5.289e-06
0 U0 `% A. r1 p* C
( d; H/ L/ `5 t* ~算出後:
3 u/ q$ X8 z) j, p/ v- i) Gλ 0.089 0.061
, B: J9 g/ Q# b% Y- g; E" t& r' R* B8 a8 t) v% c
! ~5 u' L+ y! i0 n看有些論文寫說λ是工藝給定的
/ z/ v! o! Z4 i7 L/ Z9 z哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
) E9 ^3 t( A1 F3 \! O' t3 V
( t& S/ _$ @$ P; V1 g0 V. `1 n1 ] |
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