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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻* l. h, a" C- {: o: Q9 `
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
0 Z5 ~; v2 y% |* H有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~ ' W3 ?: C, S3 ~8 |  t5 r

, K8 O( a0 r. O% O
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
) d+ p# z5 w! n# `: {- y; d你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧# e6 d* |% A! J7 K/ Y; j
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,% k( V3 y2 V! ^  W
8 U# {! u4 B4 l2 J) w; R
至於說要怎麼設計?- U, J/ v( b7 }6 l8 k
+ T  Q. y! X3 S
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
3 W# A; \- x. D$ ?) l, h3 i6 J- q6 Z2 |* _* b
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
1 B: A1 x) O, N
& m9 Z' |' T# \3 Q8 J  d至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
) k: j  V" y/ T, w7 M. Y6 b不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
/ s' U* @  ]+ G9 p5 W. ]; B& h但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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