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[問題求助] MOS DUMMY大小

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發表於 2020-10-26 10:48:13 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻5 j. ~$ ^/ M3 J4 _5 k3 h
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢; B% U, z+ P5 Y( C" y4 F
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
( @" z3 X! ?' q; i4 J
, P& K; p" ?  ~% b: e
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 顯示全部樓層
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的6 X+ q5 X, q9 X4 P  ?8 L
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
& \+ J2 t& b% K5 {
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 顯示全部樓層
補充,Stress spacing 也是考量之一,2 ^! ^% c# x5 H: W1 z( T3 k# ^( o
& g# t+ o. c7 {2 n) R  Q3 e8 x* `
至於說要怎麼設計?
" y% h$ d) d% _- @: T* G0 c) A9 v7 t/ o+ ^' u" ~
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy ) o% d, ~0 y8 ~; y' c

$ i+ n/ A8 I8 B( w. C6 A5 \S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可: G7 S+ U& |9 R! J

! j& D: B- K7 q, K% K( i至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 顯示全部樓層
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
2 T* M! }5 r( F. B: q  i% s不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃" ]/ N! M7 n8 G6 c! t7 ], O: P
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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