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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻/ x+ U* d! o) G4 J+ p0 s
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
% s  z. Q+ H) V: c  {& o5 r/ p有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~ 0 T" j5 r9 K7 I5 g. p+ N; _

/ w" v! z2 y5 k+ ?/ s) m# C; G
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的/ k" |7 K% U0 o  C! p
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
# l  a% n( ~; N2 q7 ^
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,1 Y1 e; H/ D0 X! ^5 e, t5 W
8 c( ~/ C8 z- I  w( _
至於說要怎麼設計?# x. t! `( A8 @2 k5 A
: G5 C4 A: w& w0 D% B5 L& h) m
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
9 R; H% a2 k* E9 W
/ @) z, e* K1 ?8 r  {S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
$ z, K% \( V! }0 m; o  o8 n6 }" r4 t1 X$ P
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
& h4 j+ }! C+ M不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
0 n4 e6 I& H+ N" t8 g但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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