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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻% a- \$ l. q: V( _; W6 f% \1 L
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
4 H3 |  T: k7 ~有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
  g/ i  @# u7 v& @
# z% ^+ g, K& A% T" w* a6 l- t
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的0 v! }* M  U; g& _
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
8 s  d+ I; _; p
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,
  j# o+ o9 _$ P  Z
/ ]# w. }4 R& T) u& C  I+ u2 c# B至於說要怎麼設計?
6 H8 g0 r& l5 h3 Q: d4 d/ [3 ?- ]# ^- U
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy 5 Y3 m4 S) D2 Y0 a2 Y/ l2 R4 U1 U
% r# r3 J7 \* j/ `
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
  N2 ~+ U+ l& ]. {3 _
. e/ T7 o( i( O* s4 G, x至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說( Z) o) z, D5 f
不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
. K8 L% u2 Z! B/ K: x但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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