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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
! G# `& D8 J5 h8 U# n/ q1 C所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢( Q3 S/ s+ T6 u$ h$ Y
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
+ h( E1 p& M/ t. s0 U
8 i, L$ M/ f0 J& V& X1 {
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4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
( Y0 J4 W& w* r$ K不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
$ j, W' `5 J8 e% l8 j9 m: M但學科觀念到是可以幫助你理解原因
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,
0 `+ c1 M; C9 [; Q. |, t- y  g. i/ Q' `! G5 K
至於說要怎麼設計?
3 Z# q" T/ j5 r" j6 i" M; V2 H+ w3 T  p$ D7 K7 e7 ^
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy % ~; v9 X+ A7 i0 y% u
4 N0 T# C* B# A9 J* a2 i
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可2 p- T5 P" ^, ~8 _4 a5 G% V7 o
* a" x8 o6 |' p7 [3 B
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
3 V$ g! g1 |* e你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧3 c; U1 J8 b- }% u' |# A: H) A( I
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