[問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

jeff710203

各位先進們
                                                                                
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
  t7 w( h  T' o  B7 D                                                                                
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator"，在文章的後面Table3
                                                                                
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
* h& [. `1 q, Z8 j9 B' X1 [                                                                                
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體，發現至少需要Id=100uA
* A0 }4 Q. d* Y4 e3 R8 k$ X4 p8 Y8 C                                                                                
+ v' b0 E6 F$ b0 E5 k) e* e$ F以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小，還是我誤解他的意思，請各位先進指教一下
                                                                                
* X+ C7 w  T& @( M( R感謝