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樓主: jeff710203
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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們1 I0 k' i3 q1 s
                                                                                
  w- d4 D; K  W3 W- N1 x2 R9 z, A3 n請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
8 r5 l2 p0 j& t3 q4 k6 z/ N                                                                                $ Q+ R; p" j$ F
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3. }  x* V* o/ t! W# u7 `
                                                                                , `- a$ Q: r  L. I
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
2 t+ ?' @' Q( z                                                                                # [- ]+ f; l5 d3 \4 T2 T
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA+ q6 M( ], l0 ^9 R  z% p
                                                                                + W6 h- E. \: Q' d  g6 _  {
以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下' `3 j# n* K6 M( d1 x; p- z- P
                                                                                
' ~/ x; v$ H% v( E6 \感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關; E9 I; H9 o! x2 h  D, d
W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion
% Q; I% n. }1 O' X3 Fgm 本來就大: n; a: l' r* k! i. u8 w
至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V; `6 N# B) M5 @6 W* c
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm
! I1 N. S  ]5 H% b3 u前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向; m' l' Y, I7 b3 ]6 A
2007年那篇算是比較早期的作法了) F- A+ f* Y# T7 L% O
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大% o( M$ r% K+ z  O0 e
後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看
/ d* o4 i0 S8 w2 U8 k/ y. J% _( ncapless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop% a; L$ L' j, U5 o; ^/ Q1 c
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容
" Q: B& |" L( u' u/ L) \* y/ g比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier
6 t- i1 O- _+ t; R) Y+ p$ R以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下* A& e7 X" W6 i8 Y: q3 b
: _! X, J% H1 c* s2 S
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想; S* d1 ]) ?4 J; C% H
這是RD的宿命
$ ?$ z, C) }0 n( U, M: }2 s' H; j* M! ^1 ~2 j% y# k
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6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage 3 L2 r$ G' u5 J8 K
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解
% m" l' j6 j2 l+ n7 l9 c, |可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論
0 P' A* Q4 d' m: t: P小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量* q. v& @0 |4 i6 @" i
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者

: |* r) x1 C) c; W* LThanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you
1 e  c0 z, ]6 N3 R
5 u  x0 p& d3 n+ ~# U
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題
) K$ a6 H+ O1 m# F) _/ t$ W4 e極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO! K  o, D; A; m" ~) V4 [1 ^- Q
3 Z; N' o9 v- P+ o" N
" X- b- @- U5 J; W0 _5 U& b
( T4 `; ^) x* I4 ^: z9 i% [
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝( |/ ?/ f) z7 q( J: i1 {. T
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