MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大

1 m- e  O3 f: m+ `若應用在LDO的powerMOS

使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
) I. G- u* X$ n. C) D
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
8 L9 J; j' u+ P, `
若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??

. x# a0 N5 G. w4 j' H- c+ g9 T例如L不能用太小，W不能用超大 ??
3 a; Z& E0 h& a) Y( i
9 i/ G' ~; o( D謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
  S4 D5 B& `" e& w, z前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯
7 ~! Z* ~/ U/ x$ u( }- B
5 g7 |% x' @8 x) T) Z4 L至於當LDO的power mos
8 h, r" c) q  T" }* E因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
: [5 I* G; f% Y$ q如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
7 @( m/ k. m5 a6 ]  S, B- |而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster

真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多