MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
, w; S. M" j% T. u6 j/ y0 P) \
若應用在LDO的powerMOS

使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
+ a8 P  Q: B5 e7 v
: i. \, h: X# e5 e1 o! X/ D+ m例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
2 |2 ~, g1 n7 V, n+ A: I! X0 u: g! [
& v9 R. t3 P& ]若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??

7 w, H$ m# E% h. e& q例如L不能用太小，W不能用超大 ??
  \* @$ G, L% E9 S- D4 X# L9 r
謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯

至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
3 a" s. W) K6 {' \1 l& y像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster

0 u2 B4 }$ Z! u! q4 J- x+ K真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多