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台積電設計建構行銷處資深處長Suk Lee 表示:「藉由創新來實現最佳的新製程技術,一直是台積電與新思科技長期合作的重點。而為了因應3D電晶體的複雜性(complexity),我們提前布局並擴大與新思科技的合作,以發揮FinFET技術的價值。有了通過台積電認證設計自動化工具,雙方的客戶便可充分利用FinFET技術。」 7 u* H) C% H" j' C
5 z' Y( }$ }0 D) `& b; Z8 T, ]新思科技設計事業群產品行銷副總裁Bijan Kiani表示:「針對N16 FinFET製程開發的Galaxy設計平台V1.0認證是台積電與新思科技在創新技術上合作的成果。我們與台積電以及許多共同客戶一起合作,開發出完整、有效率以及經過驗證的流程(flow),讓設計人員能充分利用FinFET技術,開發出最先進的設計。」
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: B8 [: O/ K" j( J) i1 l1 U* {關於台積電N16 V1.0認證解決方案
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7 ~; a o. [0 l$ s; o3 v新思科技Galaxy™設計平台提供支援台積電16奈米FinFET製程的工具與方法論,包括: % J0 X* r& |9 w4 ] G
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· IC Compiler:先進技術支援16奈米FinFET量化規則(quantized rule)、FinFET格線置放規則(grid rule)以及先進的優化方法論,包括PBA與 GBA時序關聯及低電壓保持時間(hold time)校正,以達最佳效能、功耗及面積。0 L$ o4 A' y* F! \- t& H
$ k' Z0 d9 w+ r6 ~· IC Validator:利用DRC及DPT規則檢查(rule compliance check),檢驗FinFET參數,包括邊界(fin boundary)規則和expanding dummy cells。
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4 y' a, z H7 u! O/ J5 W( K3 A· PrimeTime:先進波形傳播(waveform-propagation)的延遲計算(delay calculation),提供FinFET製程所需的絕佳STA簽核(signoff)正確性。+ v5 J4 h6 E/ t0 [: o
% X& r. X. a- q* n" ~/ E7 C( H· StarRC:首創使用FinFET「實際剖繪資訊(real profile)」,為正確的電晶體層級(transistor-level)分析,提供最準確的MEOL(middle-end-of-line) 寄生元件參數擷取(parasitic extraction)。& H, H3 v: P. N' H1 x/ {* S
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· HSPICE、 CustomSim 和FineSim:針對最新FinFET設計進行的FinFET裝置建模(device modeling)及精確電路模擬。此外,CustomSim具備新的電子遷移效應(electromigration)和IR電壓降(IR-drop)分析。' A }3 x ~ Y! y; b* ?+ R
7 ^, x, y2 y1 @% W& L$ A! ?· Laker:支援複雜的FinFET鄰接規則(abutment rules)、雙重曝光(double-patterning)、MEOL中段層和其他先進節點的設計要求。 |
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