弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
& Q% [+ b" |! T- Y3 O8 y    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
! @. `! \# @  R7 @) L5 X9 o# R    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
9 l2 n' J' c4 u( D    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
2 n$ ^0 p$ Z2 G" R    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
9 z- X7 v9 M4 ]2 _- U    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
8 h8 C2 i+ r* t3 ~, d7 \    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
0 h! }' y" [3 O1 X6 I3 J& C! u( S+ O      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
" A. C6 z5 t  f, g% b
      請各位好心人給意見^^謝謝

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
5 L! @) N3 m" v- x謝謝。