弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
' V  G7 B) I+ B( k  J      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
" ^9 k# X: B* T    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
9 S2 Y0 r* W8 ^- X% u    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
0 Q5 W$ A* R0 l  @5 c# I    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

2 J5 ]0 F* P; {) t8 ^5 V      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
9 j1 E9 h4 q0 ]- E0 X: C  To代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
: P7 h- q# F, ?5 W) h( J6 Ko  X  o  X  o
X  X  o  o  X
o  o W o  o
/ |4 Q& \7 {% X# CX o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
) E# W' `* h8 W4 v2 [5 [strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
# i+ N5 r8 m6 Y4 b* f" c假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
1 g6 C" i' _! p  B; {7 M小弟大概知道意思，
6 h, h. P0 F7 A4 g5 s謝謝。