弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
6 z/ o  K. H% O3 F" T      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
3 j; x, f5 Y; q& C$ h% P. i    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
( g6 i- j4 f1 [1 _    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
& v, Y3 }( `' b4 T. B8 a' a
; f) T1 D: g0 X      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
& p/ X$ h2 [, K5 l: [' i8 |# y    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
# q6 d1 k% {  F6 y% U! o    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
' P! Z0 m$ T3 o: y      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
% _2 m& v; g8 {7 W( S
      請各位好心人給意見^^謝謝

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
1 Q6 f* R" p9 ^9 A謝謝。

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
+ H+ X2 V' M4 ^strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
0 m3 a: }" C# T  V2 ~2 ?假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
+ W& b, T0 |# S1 s! OX  X  o  o  X
o  o W o  o
! x( M5 b5 A) _# K2 f2 gX o  o  X  X
3 h# b' C8 P9 S; co X  o  X  o